[發明專利]一種低織構的熱解氮化硼(PBN)薄壁容器及其制備方法

有效

• 申請號: 200910092302.5
• 申請日: 2009-09-09
• 公開（公告）號: CN101643932A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發明（設計）人: 何軍舫;房明浩;劉艷改;黃朝暉
• 申請（專利權）人: 北京博宇半導體工藝器皿技術有限公司
• 主分類號: C30B15/10
• 分類號: C30B15/10;C01B21/064;C23C16/34
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1.一種熱解氮化硼(PBN)薄壁容器的制備方法，其特征在于采用熱解法和高溫燒結法二步工藝過程來制備：第一步先制備得到非結晶態熱解BN薄壁容器；第二步再進行高溫燒結析晶熱處理，處理溫度范圍為1700℃-2200℃，保溫時間為12-72小時，從而獲得低織構的PBN薄壁容器。

2.根據權利要求1所述的一種熱解氮化硼(PBN)薄壁容器的制備方法，其特征在于第一步驟的非結晶態熱解BN的薄壁容器的制備方法采用方法如下：將合適比例的氨和氣態鹵化硼的蒸氣引入已加熱的爐反應器，在1200-1600℃溫度范圍內和常規沉積模具上進行常規低溫熱解沉積或有外場輔助的熱解沉積，獲得壁厚為0.5-5mm的非結晶態熱解BN薄壁容器。

3.根據權利要求1所述的一種熱解氮化硼(PBN)薄壁容器的制備方法，其特征在于進行所述高溫燒結析晶熱處理的方法選用直接加熱、輻射加熱、微波加熱或電磁場輔助輻射加熱的方式在1700℃-2200℃溫度范圍內保溫12-72小時進行高溫燒結，制品隨加熱爐自然冷卻后即可得到所述的低織構PBN薄壁容器。