[發(fā)明專利]紅外雙色碲鎘汞探測(cè)器臺(tái)面鈍化方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910092189.0
• 申請(qǐng)日: 2009-09-04
• 公開（公告）號(hào): CN101640231A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張敏;孫浩;王成剛;朱西安
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第十一研究所
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 信息產(chǎn)業(yè)部電子專利中心
• 代理人: 梁 軍

1.一種紅外雙色碲鎘汞探測(cè)器臺(tái)面鈍化方法，其特征在于，包括：

步驟A：對(duì)雙色碲鎘汞探測(cè)器的芯片臺(tái)面裸露的碲鎘汞進(jìn)行腐蝕，消除物 理損傷薄膜，去除表面硫化鋅膜層；

步驟B：利用磁控濺射設(shè)備對(duì)經(jīng)過步驟A處理后的芯片臺(tái)面進(jìn)行鈍化處理；

其中，所述步驟A具體包括：

將雙色碲鎘汞探測(cè)器的芯片臺(tái)面表面用光刻膠保護(hù)，利用溴甲醇對(duì)側(cè)壁和 底面裸露的碲鎘汞進(jìn)行腐蝕，消除物理損傷膜層；

去除光刻膠，利用鹽酸腐蝕表面硫化鋅膜層，脫水吹干；

所述步驟B具體包括：

縮小芯片樣品和靶材的靶間距離到預(yù)定靶間距離值，并將吹干的芯片樣品 固定在樣品盤上；

對(duì)真空腔室進(jìn)行抽真空處理，使其達(dá)到磁控濺射設(shè)備預(yù)定的本底真空值；

通過氣路向真空腔室中充入氬氣，調(diào)節(jié)變通處于半開狀態(tài)，加大濺射氣壓， 使得真空腔室中的氣體壓力達(dá)到預(yù)定濺射氣壓值；

通過先后兩次選取射頻電源的功率，生長碲鎘層和硫化鋅膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定靶間距離值為70mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定濺射氣壓值為1.5pa。