[發明專利]一種制備單晶硅絨面的方法

無效

• 申請號: 200910091827.7
• 申請日: 2009-08-26
• 公開（公告）號: CN101634027A
• 公開（公告）日: 2010-01-27
• 發明（設計）人: 勾憲芳;許穎;勵旭東;宋爽;張燕鵬;謝芳吉
• 申請（專利權）人: 北京市太陽能研究所有限公司;江蘇艾德太陽能科技有限公司
• 主分類號: C23F1/32
• 分類號: C23F1/32;C30B33/10;H01L31/18
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐 寧

1、一種制備單晶硅絨面的方法，它包括以下步驟：

1)在75℃～85℃恒溫槽內配制包括堿溶液、硅酸鈉和異丙醇的堿腐蝕溶液，其中，堿溶液的體積百分比為1％～2.5％，硅酸鈉的質量百分比為0.1％～2％，異丙醇的質量百分比為0.5％～3％；

2)將濃度為5*10^-5～5*10^-3mol/L的全氟辛基磺酸鹽溶液加入步驟1)中配制有堿腐蝕溶液的恒溫槽中，使全氟辛基磺酸鹽溶液的體積百分比為0.2～1％，同時將單晶硅放入恒溫槽中進行腐蝕反應，10～20min后，將單晶硅取出，用去離子水沖洗干凈并烘干。

2、如權利要求1所述的一種制備單晶硅絨面的方法，其特征在于：所述步驟1)中的堿溶液為氫氧化鈉或氫氧化鉀或碳酸鈉溶液。

3、如權利要求1所述的一種制備單晶硅絨面的方法，其特征在于：恒溫槽的溫度為80℃且堿溶液為氫氧化鈉時，所述單晶硅經堿腐蝕溶液腐蝕后的表面上形成了均勻的金字塔絨面，且金字塔的邊長為1～8μm。

4、如權利要求2所述的一種制備單晶硅絨面的方法，其特征在于：恒溫槽的溫度為80℃且堿溶液為氫氧化鈉時，所述單晶硅經堿腐蝕溶液腐蝕后的表面上形成了均勻的金字塔絨面，且金字塔的邊長為1～8μm。

5、如權利要求1或2或3或4所述的一種制備單晶硅絨面的方法，其特征在于：恒溫槽的溫度為80℃且堿溶液為氫氧化鈉時，所述單晶硅上被腐蝕掉的厚度為5～15μm。