[發明專利]用于磁制冷的稀土-鎵材料及其制備方法無效
| 申請號: | 200910091795.0 | 申請日: | 2009-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN101996720A | 公開(公告)日: | 2011-03-30 |
| 發明(設計)人: | 陳靜;沈保根;董巧燕;胡鳳霞;孫繼榮 | 申請(專利權)人: | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號: | H01F1/053 | 分類號: | H01F1/053;C22C28/00;C22C1/02;C21D1/26;C21D1/74;C21D1/60;C22F1/16 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制冷 稀土 材料 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及磁性材料,特別涉及一種用于磁制冷的稀土-鎵材料及其制備方法。
背景技術
傳統氣體壓縮制冷技術已廣泛應用于各行各業,但它存在制冷效率低、能耗大、破壞大氣環境等缺點。與傳統氣體壓縮制冷技術相比,磁制冷技術具有高效節能、綠色環保、運行穩定等顯著優勢,被譽為高新綠色制冷技術。磁制冷是指以磁性材料為制冷工質的一種新型制冷技術,其基本原理是借助于磁制冷材料的磁熱效應,即在等溫條件下,當磁場強度增加(磁化)時磁制冷材料的磁矩趨于有序排列,磁熵降低,向外界排熱;當磁化強度減弱(退磁)時磁矩趨于無序排列,磁熵增加,磁制冷工質從外界吸熱,從而達到制冷的目的。
通常,衡量磁制冷材料磁熱性能的參數主要是磁熵變和磁制冷能力(即RC,指在一個制冷循環中可傳遞的熱量)。按工作溫區劃分,磁制冷材料可分為低溫(15K以下)、中溫(15K-77K)和高溫(77K以上)磁制冷材料。其中,中溫區磁制冷材料因其可應用于氮氣、氫氣液化等方面而受到國內外研究機構及產業部門的極大關注。目前,在該溫區研究發現的磁制冷材料主要包括稀土元素單晶、多晶材料,如Nd,Er或Tm,及稀土金屬間化合物,如ErCo2,DyAl2,RCoAl(R=Tb或Dy),TbCoC2或Ho2In等,但由于上述磁制冷材料的磁制冷能力還較低,使其商業應用受到限制。
發明內容
因此,本發明的目的在于克服現有技術中存在的缺點,提供一種磁制冷能力較高的用于磁制冷的稀土-鎵材料。
本發明的另一個目的在于提供用于磁制冷的稀土-鎵材料的制備方法。
本發明的上述目的通過以下技術方案實現:
根據本發明的一個方面,提供一種用于磁制冷的稀土-鎵材料,該稀土-鎵材料為以下通式的化合物:RGa,其中R為Dy,Ho或Er。其中,所述稀土-鎵材料具有CrB型正交晶體結構。
根據本發明的另一個方面,提供一種用于磁制冷的稀土-鎵材料的制備方法,包括以下步驟:
步驟1):按RGa化學式稱料,將R及Ga原料混合,其中R過量添加2%至4%的原子百分比,式中R為Dy,Ho或Er;
步驟2):將步驟1)配置好的原料放入電弧爐或感應加熱爐中,抽真空至3×10-3Pa以上,用高純氬清洗并熔煉,熔煉溫度在1500℃以上;
步驟3):將步驟2)熔煉好的料真空退火處理,之后取出快速冷卻。
在上述技術方案中,所述步驟2)中抽真空至2×10-3至3×10-3Pa之間;熔煉溫度介于1500℃-1700℃之間。
在上述技術方案中,所述步驟3)中在800℃-1000℃的溫度范圍內真空退火。優選地,真空退火2至14天。
與現有技術相比,本發明的優點在于:
1.HoGa和ErGa的磁制冷能力分別高達455J?kg-1和342Jkg-1。
2.具有良好的磁、熱可逆性質。
附圖說明
以下,結合附圖來詳細說明本發明的實施例,其中:
圖1為根據本發明的實施例1的ErGa的室溫X射線衍射譜線;
圖2為根據本發明的實施例1的ErGa在低磁場下的零場降溫和帶場降溫的熱磁曲線;
圖3為根據本發明的實施例1的ErGa的等溫磁化曲線;
圖4為根據本發明的實施例1的ErGa的Arrott曲線;
圖5為根據本發明的實施例1的ErGa在5K溫度下的磁滯回線;
圖6為根據本發明的實施例1的ErGa的等溫磁熵變對溫度曲線;
圖7為根據本發明的實施例2的HoGa的室溫X射線衍射譜線;
圖8為根據本發明的實施例2的HoGa在低磁場下的零場降溫和帶場降溫的熱磁曲線;
圖9為根據本發明的實施例2的HoGa的等溫磁化曲線;
圖10為根據本發明的實施例2的HoGa的等溫磁熵變對溫度曲線;
圖11為根據本發明的實施例3的DyGa的室溫X射線衍射譜線;
圖12為根據本發明的實施例3的DyGa在低磁場下的熱磁曲線;
圖13為根據本發明的實施例3的DyGa在低磁場下的等溫磁熵變對溫度曲線。
具體實施方式
[實施例1]
根據本發明的第一個實施例,提供一種制備ErGa的方法,包括以下步驟:
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