[發(fā)明專利]一種疊層有機電致發(fā)光器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910091404.5
• 申請日: 2009-08-19
• 公開（公告）號: CN101997021A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設計）人: 李林森;關敏;曹國華;曾一平;李晉閩
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，該器件包括：

一透明陽極；

一金屬陰極；

位于該透明陽極和該金屬陰極中間的至少兩個電致發(fā)光單元，每個電致發(fā)光單元至少包括一有機空穴傳輸層、一有機發(fā)光層和一有機電子傳輸層；

位于兩個電致發(fā)光單元中間的電荷產(chǎn)生單元，用于連接兩個電致發(fā)光單元，包括金屬摻雜的有機層和過渡金屬氧化物摻雜的有機層，該過渡金屬氧化物摻雜的有機層比該金屬摻雜的有機層更靠近該電致發(fā)光單元中的有機空穴傳輸層。

2.根據(jù)權利要求1所述的疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬摻雜的有機層和所述過渡金屬氧化物摻雜的有機層是同一種有機材料，包括以下任一材料：

酞氰銅、8-羥基喹啉鋁、苝四甲酸二酐或者具有電子傳輸性質(zhì)的苝系衍生物苝四甲酸二酰亞胺。

3.根據(jù)權利要求1所述疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬摻雜的有機層中的金屬是鎂或鋰，金屬的摻雜濃度為10～20％。

4.根據(jù)權利要求1所述的疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述過渡金屬氧化物摻雜的有機層中過渡金屬氧化物的摻雜濃度為10～30％，過渡金屬氧化物為以下任一材料：

三氧化鉬、三氧化錸或三氧化鎢。

5.根據(jù)權利要求1所述的疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬摻雜的有機層具有良好的電子注入性能，所述過渡金屬氧化物摻雜的有機層具有良好的空穴注入性能。

6.根據(jù)權利要求1所述的疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電荷產(chǎn)生單元的總厚度控制在10～20納米，其中金屬摻雜的有機層和過渡金屬氧化物摻雜的有機層的厚度分別不小于5納米。

7.根據(jù)權利要求1所述的疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電致發(fā)光單元中的有機空穴傳輸層，材料為以下任一材料：

N，N′-雙(1-萘基)-N，N′-二苯基-1，1′-二苯基-4，4′-二胺；

N，N′-雙(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-1，1′-二苯基-4，4′-二胺。

8.根據(jù)權利要求1所述的疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電致發(fā)光單元中的有機發(fā)光層材料為8-羥基喹啉鋁。

9.根據(jù)權利要求1所述的疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電致發(fā)光單元中的有機電子傳輸層為以下任一材料：

8-羥基喹啉鋁；

1，3，5-三(2-N-苯基苯并咪唑)苯。

10.根據(jù)權利要求1所述的疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述單個電致發(fā)光單元的總厚度控制在120～140納米。