[發明專利]一種硅基光電器件集成方法

有效

• 申請號: 200910091402.6
• 申請日: 2009-08-19
• 公開（公告）號: CN101996947A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 李運濤;俞育德;余金中
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L21/768
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種硅基光電器件集成方法，其特征在于，該方法包括：

在硅襯底上制備電子學器件；

在已經制備硅電子學器件的硅襯底上制備二氧化硅層；

在二氧化硅層上制備多晶硅；

在多晶硅上制備硅光子學器件；

刻蝕過孔，淀積金屬實現電學互連。

2.根據權利要求1所述的硅基光電器件集成方法，其特征在于，所述硅襯底為單晶硅，或者為多晶硅，或者為鍺硅。

3.根據權利要求1所述的硅基光電器件集成方法，其特征在于，所述在硅襯底上制備二氧化硅層采用化學汽相淀積、熱氧化、液相外延、磁控濺射或分子束外延方法。

4.根據權利要求1所述的硅基光電器件集成方法，其特征在于，所述在二氧化硅層上制備多晶硅采用化學汽相淀積、汽相外延、磁控濺射、液相外延、置換還原法或分子束外延方法。

5.根據權利要求1所述的硅基光電器件集成方法，其特征在于，所述刻蝕過孔采用干法刻蝕或濕法刻蝕。