[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體芯片結(jié)形貌顯現(xiàn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910090572.2
• 申請(qǐng)日: 2009-08-27
• 公開（公告）號(hào): CN101995351A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): G01N1/32
• 分類號(hào): G01N1/32;G01N23/225
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種半導(dǎo)體芯片結(jié)形貌顯現(xiàn)方法，其特征在于，包括：

用化學(xué)試劑將芯片基板上方的電路結(jié)構(gòu)全部去除，僅留下芯片基板；

對(duì)芯片基板切片；

將切片后的芯片基板浸入染色試劑中預(yù)定時(shí)間后取出，當(dāng)對(duì)芯片基板中的結(jié)位置進(jìn)行切片時(shí)，顯現(xiàn)結(jié)形貌。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，芯片基板上方的電路結(jié)構(gòu)包括：鈍化層，介質(zhì)層，金屬層，多晶硅層。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，化學(xué)試劑包括：磷酸、鹽酸和氫氟酸。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，染色試劑包括：氫氟酸、醋酸、鉻酸和硫酸銅溶液。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片的芯片基板與基板上方的電路結(jié)構(gòu)平行。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片為CMOS、PlannerDMOS或Metal?Gate芯片。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將切片后的芯片基板浸入染色試劑中預(yù)定時(shí)間后取出，當(dāng)對(duì)芯片基板中的非結(jié)位置進(jìn)行切片，不顯現(xiàn)結(jié)形貌；

還包括：

在與對(duì)芯片基板切片的相同位置，對(duì)包括芯片基板及其上方的電路結(jié)構(gòu)的芯片切片；

將切片后的芯片浸入染色試劑中預(yù)定時(shí)間后取出，若顯現(xiàn)結(jié)類似形貌，則將芯片基板染色后的結(jié)果與芯片染色后的結(jié)類似形貌進(jìn)行比較，判斷得到的芯片染色后的結(jié)類似形貌是否正確。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，若芯片基板染色后的結(jié)果為顯現(xiàn)結(jié)形貌，則芯片染色后的結(jié)類似形貌正確。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，若芯片基板染色后的的結(jié)果為未顯現(xiàn)結(jié)形貌，則芯片染色后的結(jié)類似形貌不正確。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，包括：通過掃描電子顯微鏡觀察顯現(xiàn)芯片基板染色后的結(jié)形貌。