[發明專利]GaAs HBT高增益寬帶線性跨導單元電路

有效

• 申請號: 200910090348.3
• 申請日: 2009-08-05
• 公開（公告）號: CN101989837B
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 陳高鵬;吳旦昱;金智;武錦;劉新宇
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H03F1/32
• 分類號: H03F1/32;H03F3/45;H03K19/018
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種GaAs?HBT高增益寬帶線性跨導單元電路，其特征在于，該 電路包括：輸入級子電路、基本跨導子電路、線性化子電路、負阻子電路 和鏡像電流源子電路，其中：

輸入級子電路用于對輸入的差分電壓IN_P和IN_N進行電平移位， 并將移位之后的信號導入到基本跨導子電路；

基本跨導子電路用于將輸入的差分電壓信號轉換為差分電流信號；

線性化子電路用于提高基本跨導電路的線性度；

負阻子電路用于提高跨導電路的增益；

鏡像電流源子電路用于為其余所有電路提供偏置電流；

所述線性化子電路是一個對稱的全差分結構，將基本跨導子電路輸入 端差分對晶體管的基極-發射極電壓V_BE之差作為其輸入，通過該基本跨導 子電路的處理，產生與該電壓差成比例的電流信號，并將該電流信號加入 到該基本跨導子電路的差分電流輸出之上，作為對輸入端差分對晶體管的 基極-發射極電壓V_BE之差所導致的電路非線性的補償，從而提高GaAs?HBT 跨導電路的線性度；

所述負阻子電路是一個對稱的全差分結構，設置于該GaAs?HBT高增 益寬帶線性跨導單元電路的輸出端，將一個等效負阻電阻R_neg與負載電阻 R_L相并聯，總的等效負載為當負阻R_neg取值使得R_neg+R_L＝0時， 基本跨導子電路的總等效負載電阻為無窮大，其電壓增益也將趨于無窮大。

2.根據權利要求1所述的GaAs?HBT高增益寬帶線性跨導單元電路， 其特征在于，所述鏡像電流源子電路通過調節鏡像電流源各個支路中的發 射極串聯電阻，可調節該支路的偏置電流。