[發明專利]掩膜板檢測裝置及檢測方法有效
| 申請號: | 200910089983.X | 申請日: | 2009-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN101989038A | 公開(公告)日: | 2011-03-23 |
| 發明(設計)人: | 董云;彭志龍 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;G03F7/20;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜板 檢測 裝置 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體器件制造工藝中的掩膜板檢測技術,尤其涉及一種掩膜板檢測裝置及檢測方法。
背景技術
在液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display;以下簡稱:LCD)基板上的膜層等半導體器件的制造流程中,掩膜刻蝕是一種常用工藝。掩膜刻蝕工藝中需要用到掩膜板(Mask),掩膜板上具有設定的圖案,進行曝光時,光線從掩膜板圖案之間的空隙中透過,以便使待刻蝕的膜層形成相應的圖案。由此可見,掩模板上的圖案精度決定著膜層后續刻蝕出的圖案精度。
在實際的生產環境中,可能會有小異物顆粒掉落附著在掩膜板上,當異物顆粒遮擋了圖案之間的空隙時,就會影響曝光光線透過,進而影響膜層上對應位置的圖案,出現重復性(Repeat)不良。如不能及時檢測出掩膜板上的異物,就會使掩膜板的不良影響到多塊待曝光的基板,從掩膜曝光工藝到基板的檢測工藝之間可能會距離較長時間,這段時間內將產生大量不良產品。
現有技術中提供了一種檢測掩膜板上異物顆粒的方法,即采用一檢測光沿掩膜板的表面照射到掩膜板上,在掩膜板的表面設置有面傳感器,用于檢測是否有反射光,若有則證明掩膜板上存在異物遮擋使光反射。但是上述檢測技術的誤報警率很大,可操作性不強,各廠商都已放棄使用這一方案。
因此,在進行掩膜曝光之前,能夠準確地檢測到掩膜板上圖案因異物顆粒等因素的影響而產生的變化是急待解決的技術問題。
發明內容
本發明的目的是提供一種掩膜板檢測裝置及檢測方法,以實現對掩膜板上圖案變化的準確檢測。
為實現上述目的,本發明提供了一種掩膜板檢測裝置,包括:
檢測板,由絕緣材料制成;
電阻塊,采用感光電阻材料制成,設置在所述檢測板的表面上,用于在檢測板與掩膜板平行且重疊設置時,接受穿過所述掩膜板照射在檢測板上的光線;
控制模塊,與所述電阻塊相連,用于檢測所述電阻塊的電阻值并進行識別,當識別出電阻塊的電阻值變化量大于或等于設定值時產生報警信息。
為實現上述目的,本發明還提供了一種掩膜板檢測方法,包括:
將絕緣材料的檢測板與掩膜板平行且重疊布設,所述檢測板上設置有感光電阻材料制成的電阻塊;
發射光線穿過所述掩膜板照射到所述檢測板的電阻塊上;
檢測所述電阻塊的電阻值并進行識別,當識別出電阻塊的電阻值變化量大于或等于設定值時產生報警信息。
由以上技術方案可知,本發明的技術方案利用了感光電阻材料的電阻塊,結合曝光光線照射,實現了對掩膜板圖案變化的檢測,具有較高的檢測準確性,能夠預防掩膜板圖案變化對后續曝光刻蝕操作的影響。
附圖說明
圖1為本發明實施例一提供的掩膜板檢測裝置的俯視結構示意圖;
圖2為本發明實施例一提供的掩膜板檢測裝置的檢測狀態示意圖;
圖3為本發明實施例二提供的掩膜板檢測裝置的俯視結構示意圖;
圖4為本發明實施例二提供的掩膜板檢測裝置的檢測狀態示意圖;
圖5為本發明實施例二提供的掩膜板檢測裝置沒檢測到異物顆粒的俯視結構示意圖;
圖6為本發明實施例二提供的掩膜板檢測裝置檢測到異物顆粒的俯視結構示意圖;
圖7為本發明實施例三提供的掩膜板檢測裝置中控制模塊的結構示意圖;
圖8為本發明實施例四提供的掩膜板檢測方法的流程圖;
圖9為本發明實施例五提供的掩膜板檢測方法中比較步驟的流程圖;
圖10為本發明實施例六提供的掩膜板檢測方法中比較步驟的流程圖。
具體實施方式
下面通過具體實施例并結合附圖對本發明做進一步的詳細描述。
實施例一
圖1為本發明實施例一提供的掩膜板檢測裝置的俯視結構示意圖。該檢測裝置包括檢測板10、電阻塊20和控制模塊30。其中,檢測板10由絕緣材料制成,例如可以為玻璃基板。電阻塊20采用感光電阻材料制成,例如為高靈敏度感光電阻材料硫化鎘,電阻塊20設置在檢測板10的表面上,具體可以采用沉膜等工藝按照設定圖案鍍設在檢測板10的表面,電阻塊20用于在檢測板10與掩膜板40平行且重疊設置時,接受穿過掩膜板40照射在檢測板10上的光線,照射所用的光線可以為紫外線、紅外線等多種光線。控制模塊30可以是由軟件和/或硬件實現的功能模塊,與電阻塊20相連,用于檢測電阻塊20的電阻值并進行識別,當識別出電阻塊20的電阻值變化量大于或等于設定值時產生報警信息。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





