[發(fā)明專利]FFS型TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910089829.2
• 申請(qǐng)日: 2009-07-24
• 公開（公告）號(hào): CN101963727A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋泳錫;劉圣烈;崔承鎮(zhèn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種FFS型TFT-LCD陣列基板的制造方法，所述陣列基板包括公共電極區(qū)域、公共電極線區(qū)域、柵電極區(qū)域、柵線區(qū)域、數(shù)據(jù)線區(qū)域、半導(dǎo)體層區(qū)域，源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域、像素電極區(qū)域PAD區(qū)域的柵線區(qū)域及PAD區(qū)域的數(shù)據(jù)線區(qū)域，其特征在于，包括：

步驟1：在透明基板上依次沉積第一透明導(dǎo)電薄膜、源漏金屬薄膜及摻雜半導(dǎo)體薄膜，通過第一構(gòu)圖工藝形成包括源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形；

步驟2：沉積半導(dǎo)體薄膜，通過第二構(gòu)圖工藝形成包括摻雜半導(dǎo)體層、TFT溝道和半導(dǎo)體層的圖形；

步驟3：沉積絕緣薄膜和柵金屬薄膜、通過第三構(gòu)圖工藝形成包括連接孔、柵線、柵電極以及公共電極線的圖形；

步驟4、沉積第二透明導(dǎo)電薄膜，通過第四構(gòu)圖工藝形成包括公共電極的圖形。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的FFS型TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟1具體包括：

提供透明基板；

在所述透明基板上依次沉積第一透明導(dǎo)電薄膜、源漏金屬薄膜及摻雜半導(dǎo)體薄膜；

在摻雜半導(dǎo)體薄膜上涂敷光刻膠；

通過第一雙調(diào)掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光及顯影處理，使得所述數(shù)據(jù)線區(qū)域、源電極區(qū)域及漏電極區(qū)域的光刻膠具有第一厚度，所述像素電極區(qū)域的光刻膠具有第二厚度，所述第一厚度大于第二厚度，其余區(qū)域不存在光刻膠；

通過第一刻蝕工藝完全刻蝕掉所述其余區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜、源漏金屬薄膜和透明導(dǎo)電薄膜；

通過灰化工藝去除第二厚度的光刻膠，暴露出所述像素電極區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜；

通過第二刻蝕工藝完全刻蝕掉所述像素電極區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜；

剝離剩余光刻膠。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的FFS型TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟2具體包括：

沉積半導(dǎo)體薄膜；

在所述半導(dǎo)體薄膜上涂覆光刻膠；

通過掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理，僅在所述半導(dǎo)體層區(qū)域保留光刻膠；

通過第三刻蝕工藝刻蝕掉暴露出的半導(dǎo)體薄膜；

剝離剩余光刻膠。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的FFS型TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟3具體包括：

沉積絕緣薄膜和柵金屬薄膜；

在所述柵金屬薄膜上涂覆光刻膠；

通過第二雙調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理，使得所述柵電極區(qū)域、柵線區(qū)域以及公共電極線區(qū)域的光刻膠具有第三厚度，PAD區(qū)域的數(shù)據(jù)線區(qū)域無(wú)剩余光刻膠，其它區(qū)域的光刻膠具有第四厚度，所述第三厚度大于第四厚度；

通過第四刻蝕工藝分別對(duì)PAD區(qū)域的數(shù)據(jù)線區(qū)域的柵金屬薄膜和柵絕緣層進(jìn)行刻蝕；

對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝，去掉第四厚度的光刻膠，經(jīng)灰化工藝后，除了柵電極區(qū)域、柵線區(qū)域以及公共電極線區(qū)域之外，其他區(qū)域的柵金屬薄膜暴露；

通過第五刻蝕工藝，刻蝕掉暴露出的柵金屬薄膜；

剝離剩余光刻膠。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的FFS型TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟4具體包括：

沉積第二透明導(dǎo)電薄膜；

在所述第二透明導(dǎo)電薄膜上涂覆光刻膠；

通過普通掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行了曝光和顯影處理，使得公共電極線區(qū)域、公共電極區(qū)域、PAD區(qū)域的數(shù)據(jù)線區(qū)域以及PAD區(qū)域的柵線區(qū)域上剩余光刻膠，其它區(qū)域無(wú)光刻膠覆蓋；

通過第六刻蝕工藝完全刻蝕掉所述其它區(qū)域的所述第二透明導(dǎo)電薄膜；

剝離剩余光刻膠。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣薄膜為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層薄膜，或這些材料多層沉積形成的多層薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述源漏金屬薄膜或柵金屬薄膜為鉬、鋁、鋁釹合金、鎢、鉻、銅形成的單層薄膜，或?yàn)橐陨辖饘俣鄬映练e形成的多層薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的FFS型TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，通過磷酸和硝酸的混合物制得的刻蝕劑對(duì)源漏金屬薄膜進(jìn)行刻蝕；

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的FFS型TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，通過硫酸或過氧化物對(duì)第一透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕。