[發明專利]一種測量半導體薄膜材料光學帶隙的新方法

有效

• 申請號: 200910089681.2
• 申請日: 2009-07-29
• 公開（公告）號: CN101609002A
• 公開（公告）日: 2009-12-23
• 發明（設計）人: 張曉勇;郭鐵
• 申請（專利權）人: 新奧光伏能源有限公司
• 主分類號: G01N21/25
• 分類號: G01N21/25;G01N21/41;G01B11/06
• 代理公司: 北京連城創新知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉伍堂

1.一種測量半導體薄膜材料光學帶隙的方法，其步驟包括：

(1)、首先測試空白玻璃基底的反射和透射光譜，求出玻璃基底的光學參數，所述光學參數包括玻璃基底對不同波長的入射光的折射率和消光系數；

(2)、測試膜基系統的反射和透射光譜，把玻璃基底的光學參數代入反射或透射方程，對透明區的反射后透射光譜進行曲線擬合，求出薄膜厚度；

(3)、把玻璃基底的折射率、消光系數和薄膜厚度代入膜基系統的反射率和透射率方程，利用理論光譜和測試光譜擬合的方法，求出薄膜的折射率和消光系數；

(4)、根據薄膜的消光系數計算薄膜的吸收系數；

(5)、把得到的吸收系數代入Tauc公式求出Y值，按照Y＝f(hv)關系作圖，對線性較好區域進行線性擬合，求出薄膜的光學帶隙。

2.如權利要求1所述的一種測量半導體薄膜材料光學帶隙的方法，其特征在于，所有所述的計算過程在計算機上完成。

3.如權利要求1所述的一種測量半導體薄膜材料光學帶隙的方法，其特征在于，所述步驟1和步驟2所述的測試過程使用分光光度計進行測試。