[發(fā)明專利]清除近晶態(tài)液晶顯示屏圖像痕跡的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910089481.7
• 申請日: 2009-07-21
• 公開（公告）號: CN101840086A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 董韶平;孫剛
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州漢朗光電有限公司
• 主分類號: G02F1/133
• 分類號: G02F1/133
• 代理公司: 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100
• 代理人: 張衛(wèi)華

1.一種清除近晶態(tài)液晶顯示屏圖像痕跡的方法，該近晶態(tài)液晶顯示屏包括第一基體層和第二基體層，在第一基體層與第二基體層之間設(shè)有一由近晶態(tài)液晶和添加物混合而成的混合層，該近晶態(tài)液晶為A類近晶態(tài)液晶有機化合物，該添加物為帶導(dǎo)電特性的化合物，在第一基體層朝向混合層的一側(cè)設(shè)有第一導(dǎo)電電極層，在第二基體層朝向混合層的一側(cè)設(shè)有第二導(dǎo)電電極層，第一導(dǎo)電電極層由M個平行排列的條狀電極組成，第二導(dǎo)電電極層由N個平行排列的條狀電極組成，第一導(dǎo)電電極層的M個條狀電極與第二導(dǎo)電電極層的N個條狀電極相垂直，該第一導(dǎo)電電極層與第二導(dǎo)電電極層形成一M×N的像素點陣列，其特征在于：該方法包括以下步驟：

a.將一對頻率相同、幅值相同、相位相反的低頻高壓正負脈沖分別加載到該第一導(dǎo)電電極層的M個條狀電極、第二導(dǎo)電電極層的N個條狀電極上，一第一設(shè)定時間后，停止加載該對低頻高壓正負脈沖；

b.將一對頻率相同、幅值相同、相位相反的高頻高壓正負脈沖分別加載到該第一導(dǎo)電電極層的M個條狀電極、第二導(dǎo)電電極層的N個條狀電極上，一第二設(shè)定時間后，停止加載該對高頻高壓正負脈沖；

c.重復(fù)步驟a和b至少一次；

d.將一對頻率相同、幅值相同、相位相反的低頻高壓正負脈沖分別加載到該第一導(dǎo)電電極層的M個條狀電極、第二導(dǎo)電電極層的N個條狀電極上，一第一設(shè)定時間后，停止加載該對低頻高壓正負脈沖；

其中：該低頻高壓正負脈沖的電壓幅值小于閾值電壓幅值且兩倍的該低頻高壓正負脈沖的電壓幅值大于閾值電壓幅值；該高頻高壓正負脈沖的電壓幅值小于閾值電壓幅值且兩倍的該高頻高壓正負脈沖的電壓幅值大于閾值電壓幅值。

2.如權(quán)利要求1所述的清除近晶態(tài)液晶顯示屏圖像痕跡的方法，其特征在于：在所述步驟a之前還包括步驟：將一對頻率相同、幅值相同、相位相反的所述高頻高壓正負脈沖分別加載到所述第一導(dǎo)電電極層的M個條狀電極、第二導(dǎo)電電極層的N個條狀電極上，一第二設(shè)定時間后，停止加載該對高頻高壓正負脈沖。

3.如權(quán)利要求1或2所述的清除近晶態(tài)液晶顯示屏圖像痕跡的方法，其特征在于：

所述低頻高壓正負脈沖的頻率為大于等于10Hz且小于等于200Hz，所述低頻高壓正負脈沖的幅值為大于等于50v且小于等于150v，加載所述低頻高壓正負脈沖的脈沖對個數(shù)為大于等于1個且小于等于500個；

所述高頻高壓正負脈沖的頻率為大于等于1kHz且小于等于10kHz，所述高頻高壓正負脈沖的幅值為大于等于50v且小于等于150v，加載所述高頻高壓正負脈沖的脈沖對個數(shù)為大于等于1個且小于等于1000個。

4.如權(quán)利要求1或2所述的清除近晶態(tài)液晶顯示屏圖像痕跡的方法，其特征在于：

所述低頻高壓正負脈沖的頻率為30Hz，所述低頻高壓正負脈沖的幅值為100v，加載所述低頻高壓正負脈沖的脈沖對個數(shù)為50個；

所述高頻高壓正負脈沖的頻率為4kHz，所述高頻高壓正負脈沖的幅值為100v，加載所述高頻高壓正負脈沖的脈沖對個數(shù)為300個或350個。

5.如權(quán)利要求1或2所述的清除近晶態(tài)液晶顯示屏圖像痕跡的方法，其特征在于：

所述低頻高壓正負脈沖的頻率為50Hz，所述低頻高壓正負脈沖的幅值為100v，加載所述低頻高壓正負脈沖的脈沖對個數(shù)為30個或50個或80個；

所述高頻高壓正負脈沖的頻率為2kHz或4kHz，所述高頻高壓正負脈沖的幅值為100v，加載所述高頻高壓正負脈沖的脈沖對個數(shù)為200個或300個。

6.如權(quán)利要求1或2所述的清除近晶態(tài)液晶顯示屏圖像痕跡的方法，其特征在于：

在加載所述低頻高壓正負脈沖和所述高頻高壓正負脈沖之前，使所述第一和第二導(dǎo)電電極層在一間隔時間內(nèi)處于斷電狀態(tài)，該間隔時間為大于0且小于100毫秒。

7.如權(quán)利要求1或2所述的清除近晶態(tài)液晶顯示屏圖像痕跡的方法，其特征在于：

在加載所述低頻高壓正負脈沖和所述高頻高壓正負脈沖之前，使所述第一和第二導(dǎo)電電極層在一間隔時間內(nèi)處于斷電狀態(tài)，該間隔時間為大于0且小于5毫秒。

8.如權(quán)利要求1或2所述的清除近晶態(tài)液晶顯示屏圖像痕跡的方法，其特征在于：

在所述步驟c中，重復(fù)步驟a和b的次數(shù)為大于等于1次且小于等于100次。