[發明專利]高純高產率網絡狀分枝氮化硅單晶納米結構的制備方法

無效

• 申請號: 200910089460.5
• 申請日: 2009-07-21
• 公開（公告）號: CN101603207A
• 公開（公告）日: 2009-12-16
• 發明（設計）人: 彭志堅;朱娜;王成彪;付志強;于翔;岳文;劉寶林;楊甘生
• 申請（專利權）人: 中國地質大學（北京）
• 主分類號: C30B29/38
• 分類號: C30B29/38;C30B29/60;C30B23/00
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1.高純高產率網絡狀分枝氮化硅單晶納米結構的制備方法，其特征在于：所述方法通過 熱解有機前驅體在鍍有催化劑的基片上合成網絡狀分枝氮化硅納米結構，包括以下步驟：

(1)硅、氮分別超過15at％和20at％，氧含量不超過3at％的聚硅氮烷，在高純氮氣、 氬氣或者氨氣氣氛下，在160-300℃下催化或者無催化熱交聯固化0.5-2小時，得到半透明 的SiCN非晶固體；

(2)將該半透明的SiCN非晶固體在瑪瑙容器中搗碎，然后和高耐磨氧化鋯磨球混合， 在聚氨酯球磨罐中，在高能球磨機上研磨粉碎2-24小時，得到非晶態SiCN粉末；

(3)將經球磨后的前驅體粉末放置在剛玉坩堝底，將鍍有金屬催化劑Fe、Co、Ni或Cu 薄膜的基片置于坩堝內粉末的上方，在氮氣或者氨氣保護下，快速升溫至1150-1450℃加熱 20分鐘到4小時，即可在基片上得到高純高產率的網絡狀分枝氮化硅單晶納米結構。

2.按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中的基片為硅片、砷化 鎵片、藍寶石片、氮化硅單晶片或氧化鋁模板；所述步驟(3)中的基片上沉積了一層20-100 nm厚的金屬催化劑Fe、Co、Ni或Cu薄膜；所述步驟(3)中的網絡狀分枝氮化硅納米結構 生長的基片離被熱解的交聯固化粉末的距離為0-20mm；所述步驟(3)中的升溫速度為 10-50℃/分鐘。