[發(fā)明專利]一種電源、地上毛刺的快速低功耗檢測(cè)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910088707.1
• 申請(qǐng)日: 2009-07-06
• 公開（公告）號(hào): CN101943729A
• 公開（公告）日: 2011-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬哲;張建平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G01R31/00
• 分類號(hào): G01R31/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電源、地上毛刺的快速低功耗檢測(cè)電路，其特征在于：該檢測(cè)電路包括采樣模塊、

正glitch檢測(cè)模塊、負(fù)glitch檢測(cè)模塊、與非門；其中：

所述采樣模塊由電阻R1、電容C1串聯(lián)構(gòu)成，電阻R1一端為電源VDD，電阻R1與電容C1的公共節(jié)點(diǎn)為VDDIN、電容C1的另一節(jié)點(diǎn)接GND；采樣電路提供正、負(fù)glitch檢測(cè)模塊的輸入信號(hào)；

所述正glitch檢測(cè)模塊由PMOS管P1、P2，NMOS管N1、N2，電容C2構(gòu)成；PMOS管P1源端接VDD、柵端接VDDIN、漏端接POS_IN；電容C2一端接POS_IN、另一端接GND；NMOS管N1柵端、漏端接POS_IN，源端接GND；PMOS管P2柵端接POS_IN、漏端接POS_OUT、源端接VDDIN；NMOS管N2，柵端接POS_IN、漏端接POS_OUT、源端接GND；正glitch檢測(cè)模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)電源上出現(xiàn)的正glitch進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)，對(duì)地上出現(xiàn)的負(fù)glitch進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)；

所述負(fù)glitch檢測(cè)模塊由PMOS管P3、P4，NMOS管N3、N4，電容C3構(gòu)成；PMOS管P3源端接VDDIN、柵端接VDD、漏端接NEG_IN；電容C3一端接NEG_IN、另一端接GND；NMOS管N3柵端、漏端接NEG_IN，源端接GND；PMOS管P4柵端接NEG_IN、漏端接NEG_OUT、源端接VDDIN；NMOS管N4，柵端接NEG_IN、漏端接NEG_OUT、源端接GND；負(fù)glitch檢測(cè)模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)電源上出現(xiàn)的負(fù)glitch進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)，對(duì)地上出現(xiàn)的正glitch進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)；

所述與非門：由與非門構(gòu)成，與非門輸入接NEG_OUT、POS_OUT，輸出接OUT，與非門對(duì)正、負(fù)glitch檢測(cè)模塊的輸出進(jìn)行與非運(yùn)算后輸出標(biāo)志信號(hào)OUT。

2.如權(quán)利要求1所述一種電源、地上毛刺的快速低功耗檢測(cè)電路，其特征在于：所述正glitch檢測(cè)模塊通過PMOS管P1作為開關(guān)管，由采樣模塊輸出VDDIN作為所述PMOS管P1的開關(guān)控制端；所述NMOS管N1柵端、漏端短接于POS_IN，構(gòu)成二極管接法，在電源、地上沒有g(shù)litch時(shí)，將POS_IN拉至低電位，保證POS_OUT輸出為“VDDIN”。

3.如權(quán)利要求1所述一種電源、地上毛刺的快速低功耗檢測(cè)電路，其特征在于：所述負(fù)glitch檢測(cè)模塊通過PMOS管P3作為開關(guān)管，由VDD作為所述PMOS管P3的開關(guān)控制端；所述NMOS管N3柵端、漏端短接于NEG_IN，構(gòu)成二極管接法，在電源、地上沒有g(shù)litch時(shí)，將NEG_IN拉至低電位，保證NEG_OUT輸出為“VDDIN”。