[發明專利]增甘磷插層結構選擇性紅外吸收材料及其制備方法與應用

無效

• 申請號: 200910088310.2
• 申請日: 2009-07-03
• 公開（公告）號: CN101597474A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發明（設計）人: 李殿卿;王麗靜;林彥軍
• 申請（專利權）人: 北京化工大學
• 主分類號: C09K3/00
• 分類號: C09K3/00;C08K13/02;C08L23/06;C08L23/08
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司
• 代理人: 何俊玲

1.一種增甘磷插層結構選擇性紅外吸收材料，簡寫為GLYP-LDHs，其分子式為：

(M²⁺)_1-x(Al³⁺)_x(OH)₂(C₄H₉NO₈P₂^2-)_a(B^n-)_b·mH₂O

其中M²⁺是Zn²⁺或Mg²⁺；B^n-為荷電量為n的無機陰離子，B^n-為CO₃^2-、NO₃^-中的 一種；

0.1＜X＜0.8；a，b分別為C₄H₉NO₈P₂^2-和B^n-的數量，2a+n×b＝X；m為結晶水 數量，0.01＜m＜4；

該材料為超分子結構，晶體結構為類水滑石材料的晶體結構。

2.一種制備如權利要求1所述的增甘磷插層結構選擇性紅外吸收材料的方法，具 體步驟如下：

A.將層間陰離子為硝酸根或碳酸根的水滑石前體分散于去離子水或乙二醇中，充 分攪拌混合配制濃度為0.3-0.5mol/L的水滑石前體懸浮液；

所用的水滑石前體結構式為：(M²⁺)_1-x(Al³⁺)_x(OH)₂(B^n-)_b·mH₂O，其中M²⁺是Zn²⁺或Mg²⁺；B^n-為NO₃^-或CO₃^2-；0.1＜X＜0.8；b為B^n-的數量，n×b＝X；m為結晶水 數量，0.01＜m＜4；

B.將增甘磷，簡寫為GLYP，溶于去離子水中配制濃度為0.6-1.5mol/L的水溶液， 并將其加入帶攪拌的反應器中，用NaOH調整溶液pH值為5-7；

C.在氮氣保護下，一邊快速攪拌，一邊將步驟A配制的水滑石前體懸浮液加入 到步驟B的反應器中，使得增甘磷的摩爾量為水滑石中酸根摩爾量的2-3倍；調節體 系的pH值至5.5-8.0，在100-106℃溫度下回流晶化2-6小時，過濾，洗滌，干燥得 到GLYP-LDHs。

3.一種如權利要求1所述的增甘磷插層結構選擇性紅外吸收材料在聚合物薄膜 中應用。

4.根據權利要求3所述的增甘磷插層結構選擇性紅外吸收材料在聚合物薄膜中應 用，其特征是該材料在聚乙烯或乙烯-醋酸乙烯共聚物薄膜中應用，將增甘磷插層結構 選擇性紅外吸收材料與不含增甘磷的水滑石按1∶1的質量比配合后應用于聚乙烯或乙 烯-醋酸乙烯共聚物薄膜中。