[發明專利]基于自準直效應的光子晶體偏振分束器結構

無效

• 申請號: 200910087343.5
• 申請日: 2009-06-17
• 公開（公告）號: CN101923226A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發明（設計）人: 張慧慧;申華軍;周靜濤;劉新宇
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01;G02B6/122
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種基于自準直效應的光子晶體偏振分束器結構，其特征在于，該光子晶體偏振分束器結構是在二維介質基板中打孔形成正三角晶格結構，并用填充介質填充孔形成光子晶體自準直結構，其中對沿著電磁波入射方向的由部分正三角晶格結構形成四邊形的光子晶體自準直結構進行變動，且晶格周期不變，形成光子晶體分束結構。

2.根據權利要求1所述的基于自準直效應的光子晶體偏振分束器結構，其特征在于，所述光子晶體自準直結構與偏振無關，用作虛擬波導能夠同時傳導TE模和TM模；所述光子晶體分束結構用于TE模和TM模的分離。

3.根據權利要求1所述的基于自準直效應的光子晶體偏振分束器結構，其特征在于，所述二維介質基板的介電常數與所述填充介質的介電常數不相等，二者比值越大越容易獲得光子帶隙。

4.根據權利要求1所述的基于自準直效應的光子晶體偏振分束器結構，其特征在于，所述光子晶體自準直結構的填充比與所述光子晶體分束結構的填充比不同。

5.根據權利要求1所述的基于自準直效應的光子晶體偏振分束器結構，其特征在于，所述填充介質具有多個相同的單元，且該單元為任意規則的形狀。

6.根據權利要求1所述的基于自準直效應的光子晶體偏振分束器結構，其特征在于，所述電磁波以自準直頻率入射。

7.根據權利要求6所述的基于自準直效應的光子晶體偏振分束器結構，其特征在于，所述自準直頻率由所述光子晶體自準直結構的介電常數、晶格周期和填充比確定。

8.根據權利要求1所述的基于自準直效應的光子晶體偏振分束器結構，其特征在于，所述光子晶體分束結構具有TE模的光子帶隙頻率，且該TE模的光子帶隙頻率范圍覆蓋自準直頻率，且不是所述光子晶體分束結構TM模的光子帶隙頻率范圍。

9.根據權利要求8所述的基于自準直效應的光子晶體偏振分束器結構，其特征在于，所述光子晶體分束結構TE模的光子帶隙頻率和所述光子晶體分束結構TM模的光子帶隙頻率依賴于偏振分束結構的介電常數、晶格周期和填充比。

10.根據權利要求1所述的基于自準直效應的光子晶體偏振分束器結構，其特征在于，所述光子晶體分束結構不能傳播TE模，只能傳播TM模。

11.根據權利要求1所述的基于自準直效應的光子晶體偏振分束器結構，其特征在于，所述TE模在光子晶體自準直結構和光子晶體分束結構的分界面反射，所述TM模在光子晶體自準直結構和光子晶體分束結構的分界面透射。