[發(fā)明專(zhuān)利]一種抗輻照的多叉指CMOS器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910087223.5
• 申請(qǐng)日: 2009-06-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101577279A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王文華;黃德濤;黃如;王陽(yáng)元;薛守斌
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/092
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/092;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 北京君尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 俞達(dá)成

1.一種抗輻照的多叉指CMOS器件，包括有源區(qū)、STI區(qū)、和連接所述有源區(qū)和所述STI 區(qū)的柵極，所述柵極呈多叉指狀，其特征在于，所述有源區(qū)沿著有源區(qū)橫向的寬度大于所 述柵極位于所述有源區(qū)范圍內(nèi)沿著有源區(qū)橫向的寬度，在所述呈多叉指狀的柵極中，相鄰 的兩個(gè)叉指的根部?jī)?nèi)輪廓線不呈各個(gè)折角同時(shí)為90°的折線狀。

2.如權(quán)利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述內(nèi)輪廓線呈折線狀，所述折線的 各個(gè)折角在大于90°到小于180°的范圍內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述內(nèi)輪廓線呈弧線狀。

4.如權(quán)利要求3所述的CMOS器件，其特征在于，所述弧線狀為圓弧狀或橢圓弧狀，所 述圓弧或橢圓弧的開(kāi)口均朝向所述多叉指狀的開(kāi)口。

5.如權(quán)利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，在所述呈多叉指狀的柵極中，位于端 部的兩個(gè)叉指的根部外輪廓線不呈直角狀。

6.如權(quán)利要求5所述的CMOS器件，其特征在于，所述外輪廓線呈折線狀，所述折線的 各個(gè)折角在大于90°到小于180°的范圍內(nèi)。

7.如權(quán)利要求5所述的CMOS器件，其特征在于，所述外輪廓線呈弧線狀。

8.如權(quán)利要求7所述的CMOS器件，其特征在于，所述弧線狀為圓弧狀或橢圓弧狀。

9.如上述權(quán)利要求任意一項(xiàng)所述的CMOS器件，其特征在于，所述有源區(qū)沿著有源區(qū)橫 向的寬度和所述柵極位于所述有源區(qū)范圍內(nèi)沿著有源區(qū)橫向的寬度之間的差值在100nm 到200nm的范圍內(nèi)。