[發明專利]反應腔室及化學氣相沉積設備有效
| 申請號: | 200910086629.1 | 申請日: | 2009-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN101921995A | 公開(公告)日: | 2010-12-22 |
| 發明(設計)人: | 楊盟 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京凱特來知識產權代理有限公司 11260 | 代理人: | 趙鎮勇 |
| 地址: | 100016 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反應 化學 沉積 設備 | ||
技術領域
本發明涉及一種半導體加工設備,尤其涉及一種反應腔室及化學氣相沉積設備。
背景技術
在微電子基片或太陽能電池基片加工過程中,廣泛用到化學氣相沉積設備。
如圖1所示,現有技術中的化學氣相沉積設備包括進氣管路1、反應腔室2、待處理基片3、基片載板4、濾網5、抽氣管路6等。抽氣管路6安裝在反應腔室2的下方,濾網5安裝在抽氣管路6內靠近反應腔室2的位置,用于過濾殘氣中的粉塵。
在化學氣相沉積工藝過程中,由抽氣管路6為反應腔室2提供真空環境,反應腔室2通過加熱、射頻、微波等方式注入能量,由進氣管路1導入反應氣體,反應氣體在反應腔室2中進行化學反應,生成物沉積在基片3上,殘氣經過濾網5過濾,由抽氣管路6經真空泵排出。
上述現有技術至少存在以下缺點:
對于化學氣相沉積設備,理想的情況是反應生成物僅在待處理的基片3表面發生化學反應并沉積生成物,而在其他位置(如反應腔室側壁、基片載板、抽氣管路等)不發生化學反應和沉積作用。但這在實際中是不可避免的,化學反應不可避免的在反應腔室的其他位置發生,產生的固態反應產物會不斷堆積在濾網上方,造成整個設備的抽氣能力逐漸下降,并影響工藝結果。為了保障設備的性能,就需要定期對抽氣管路(包括濾網)進行維護,且抽氣管路維護較為繁瑣,減低了設備的運行效率,加大了設備的運行成本。
發明內容
本發明的目的是提供一種能緩解抽氣管路粉塵阻塞、降低備抽氣管路的維護頻率的反應腔室及化學氣相沉積設備。
本發明的目的是通過以下技術方案實現的:
本發明的化學氣相沉積設備,包括反應腔室,所述反應腔室的下方設有抽氣管路,所述抽氣管路靠近反應腔室的一段為向下的折彎型,所述抽氣管路的折彎型部位背離所述反應腔室排氣口的一側安裝有濾網。
本發明的化學氣相沉積設備,該化學氣相沉積設備包括上述的反應腔室。
由上述本發明提供的技術方案可以看出,本發明所述的反應腔室及化學氣相沉積設備,由于抽氣管路靠近反應腔室的一段為向下的折彎型,抽氣管路的折彎型部位背離所述反應腔室排氣口的一側安裝有濾網。工藝過程中,粉塵能夠沉積在抽氣管路的折彎型部位的下部,并減少對濾網的堵塞,進而緩解化學氣相沉積設備的抽氣管路中的粉塵阻塞、降低抽氣管路的維護頻率。
附圖說明
圖1為現有技術中的化學氣相沉積設備的反應腔室的結構示意圖;
圖2為本發明的反應腔室的具體實施例一的結構示意圖;
圖3為本發明的反應腔室及的具體實施例二的結構示意圖。
具體實施方式
本發明的反應腔室,其較佳的具體實施方式是,反應腔室的下方設有抽氣管路,抽氣管路靠近反應腔室的一段為向下的折彎型,抽氣管路的折彎型部位背離反應腔室排氣口的一側安裝有濾網,折彎型可以為U型或V型或其它的折彎型。
抽氣管路的折彎型部位的底部可以設有儲塵槽,除塵槽的底部可以設有除塵法蘭。
具體實施例中,抽氣管路6的內徑可以為10mm~1000mm范圍,優選40mm~200mm范圍;儲塵槽的內徑可以為10mm~1000mm范圍,優選40mm~200mm范圍;儲塵槽的高度可以為0~1000mm范圍,優選10mm~200mm范圍。
本發明的化學氣相沉積設備,其較佳的具體實施方式是,該化學氣相沉積設備包括上述的反應腔室。
本發明的工作原理是:
化學氣相沉積技術使用的工藝氣壓多在幾百帕量級,在這一壓力范圍附近,氣流很難推動顆粒物質移動,因此在一般情況下,反應生成的固體物質受到重力作用多數沉積在設備的下方。利用這一原理,將抽氣管路靠近反應腔室一端設計成‘U’型或‘V’型等折彎型,在抽氣管路的折彎型部位的背離反應腔室排氣口一側安裝濾網,使得絕大多數的固體生成物沉積在折彎型管的底部。少量附著在濾網上的沉積物由于結構松散,結合力較弱,很難大量在濾網上堆積,因此能夠大大降低粉塵對濾網透氣性的影響,從而延長濾網的維護周期。在折彎型抽氣管路的下方設計一個儲塵槽,并在儲塵槽的下方安裝除塵法蘭,使得絕大部分的粉塵可以沉積在儲塵槽內,并通過打開除塵法蘭進行清除,大大降低了抽氣管路的維護難度。
實施例一:
如圖2所示,化學氣相沉積設備的反應腔室的抽氣管路6靠近反應腔室2一端為U型,抽氣管路6內徑為100mm;在抽氣管路6的U型部位的下部設計有儲塵槽7,其內徑為100mm,高度為50mm;儲塵槽7下部安裝有除塵法蘭8;在抽氣管路的U型部位的背離反應腔室2的一側安裝有濾網5。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司,未經北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910086629.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:海上風力及洋流發電系統
- 下一篇:玻璃板捆包用托架
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





