[發(fā)明專利]氣體輸入裝置和半導(dǎo)體加工設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910086605.6
• 申請日: 2009-06-12
• 公開（公告）號: CN101924015A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張風(fēng)港
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L31/18;C23C14/00;C23C16/455;C23F4/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明;王寶筠

1.一種氣體輸入裝置，用于向半導(dǎo)體晶片表面輸入工藝氣體，其特征在于，包括：

主進(jìn)氣部，基本朝向所述半導(dǎo)體晶片的中心；

補(bǔ)償環(huán)，所述主進(jìn)氣部基本位于所述補(bǔ)償環(huán)的軸線位置；

密封環(huán)，與所述補(bǔ)償環(huán)密封連接，從而在所述密封環(huán)和補(bǔ)償環(huán)之間形成有氣流分配腔；

所述密封環(huán)具有至少兩個進(jìn)氣口，所述補(bǔ)償環(huán)具有出氣口，所述出氣口朝向所述補(bǔ)償環(huán)的軸線方向。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述至少兩個進(jìn)氣口在所述密封環(huán)上對稱布置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述出氣口為一系列通孔，所述一系列通孔環(huán)繞補(bǔ)償環(huán)的軸線均勻布置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述通孔的軸線與半導(dǎo)體晶片表面平行或相交。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述一系列通孔中，越靠近半導(dǎo)體晶片的通孔其孔徑越大。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述補(bǔ)償環(huán)的內(nèi)壁為朝向半導(dǎo)體晶片的喇叭口形。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述補(bǔ)償環(huán)為圓環(huán)形，所述密封環(huán)位于補(bǔ)償環(huán)的外圓，則所述氣流分配腔也為圓環(huán)形。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述補(bǔ)償環(huán)和密封環(huán)為金屬材質(zhì)，則該補(bǔ)償環(huán)和密封環(huán)的接觸面設(shè)有導(dǎo)電件和/或密封件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述氣體輸入裝置還包括控制氣路，所述控制氣路包括主要氣路和補(bǔ)償氣路，其中，

所述主要氣路與所述主進(jìn)氣部連通，用于給主進(jìn)氣部供氣；

所述補(bǔ)償氣路與所述密封環(huán)的至少兩個進(jìn)氣口連通，用于給所述補(bǔ)償環(huán)供氣。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述補(bǔ)償氣路包括至少兩條支路，每條支路上設(shè)有開關(guān)裝置和限流裝置。

11.一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括：反應(yīng)腔，位于反應(yīng)腔一側(cè)的、用于固定半導(dǎo)體晶片的晶片支撐裝置，位于反應(yīng)腔的另一側(cè)的、與所述晶片支撐裝置相對的氣體輸入裝置，其特征在于，所述氣體輸入裝置包括：

主進(jìn)氣部，基本朝向所述半導(dǎo)體晶片的中心；

補(bǔ)償環(huán)，所述主進(jìn)氣部基本位于所述補(bǔ)償環(huán)的軸線位置；

密封環(huán)，與所述補(bǔ)償環(huán)密封連接，從而在所述密封環(huán)和補(bǔ)償環(huán)之間形成有氣流分配腔；

所述密封環(huán)具有至少兩個進(jìn)氣口，所述補(bǔ)償環(huán)具有出氣口，所述出氣口朝向所述補(bǔ)償環(huán)的軸線方向。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，還包括排氣通道，位于所述晶片支撐裝置周圍。