[發明專利]基于MAM電容的分布式MEMS移相器

有效

• 申請號: 200910086370.0
• 申請日: 2009-06-11
• 公開（公告）號: CN101572334A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發明（設計）人: 陳愛新;李瑩;張艷君;吳鵬;孟雪松
• 申請（專利權）人: 北京航空航天大學
• 主分類號: H01P1/18
• 分類號: H01P1/18;B81B7/02
• 代理公司: 北京永創新實專利事務所
• 代理人: 周長琪

1.一種基于MAM電容的分布式MEMS移相器，其特征在于：該MEMS移相 器包括有基底(1)、中心導體(2)、氮化硅膜層(3)、MEMS金屬橋(4)、A金屬 片(5)、B金屬片(6)、A接地板(7)和B接地板(8)；A金屬片(5)與B金屬 片(6)的結構相同；A接地板(7)與B接地板(8)的結構相同；A金屬片(5)、 B金屬片(6)、A接地板(7)和B接地板(8)是以中心導體(2)為對稱設置的；

中心導體(2)、A金屬片(5)、B金屬片(6)、A接地板(7)和B接地板(8) 采用敷銅工藝制作在基底(1)的上面板(15)上；

基底(1)的上面板(15)的中心設有中心導體(2)；

基底(1)的上面板(15)的兩側設有A接地板(7)、B接地板(8)；A接地 板(7)與B接地板(8)之間設置有MEMS金屬橋(4)；

中心導體(2)與A接地板(7)之間設置有A金屬片(5)；

中心導體(2)與B接地板(8)之間設置有B金屬片(6)；

A金屬片(5)的一側與A接地板(7)之間有一A槽道(11)；

A金屬片(5)的另一側與中心導體(2)的一側之間有一B槽道(12)；

B金屬片(6)的一側與B接地板(8)之間有一D槽道(14)；

B金屬片(6)的另一側與中心導體(2)的另一側之間有一C槽道(13)；

氮化硅膜層(3)噴涂在中心導體(2)的上方，且噴涂寬度與MEMS金屬橋(4) 的寬度相同。

2.根據權利要求1所述的基于MAM電容的分布式MEMS移相器，其特征在于： 中心導體(2)、A金屬片(5)和B金屬片(6)在等效電路中為串并電容模式。