[發明專利]一種Al、F共摻雜ZnO基透明導電薄膜及其制備方法

無效

• 申請號: 200910086165.4
• 申請日: 2009-06-09
• 公開（公告）號: CN101575697A
• 公開（公告）日: 2009-11-11
• 發明（設計）人: 馬瑞新;王目孔;康勃;王永剛;趙素麗;章菊萍;王媛媛
• 申請（專利權）人: 北京科技大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種Al、F共摻雜的ZnO基透明導電薄膜的制備方法，其特征在于利用射頻磁控濺射設備，采用Al、F共摻雜的靶材在基片上沉積制備出具有高導電性、高可見光透過率的ZAFO透明導電薄膜，包括以下步驟：

1)，首先制作ZAFO靶材，利用AlF₃、Al₂O₃和ZnO粉體，經過均勻混合后，制成ZAFO靶材；ZAFO靶材中含有0.5～3.0wt％的Al，0.82～3.28wt％的F，其余為ZnO；

2)，將步驟1)制作的ZAFO靶材，安裝在射頻磁控濺射沉積設備真空室內，用機械泵、分子泵把真空室的真空度抽到壓強小于3×10^-3Pa，同時將基片溫度加熱到25℃～500℃；

3)，射頻磁控濺射鍍膜，通過調節沉積工藝參數，采用射頻磁控濺射在基片上制備ZAFO透明導電薄膜；

沉積工藝參數：真空室真空度為10～3×10^-4Pa；濺射氣氛為高純Ar氣；流量為30sccm；濺射壓強為0.3～0.7Pa；濺射功率為100～150W；直流偏壓在100～220V；靶材基片距離為60mm；濺射時間為600～3000s；基片包括：石英片、硅片或各種玻璃基片。