[發明專利]提高晶圓的高溫氧化物層均勻性的方法

無效

• 申請號: 200910085998.9
• 申請日: 2009-06-03
• 公開（公告）號: CN101906617A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 王燕軍;張衛民;朱晨靚
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;H01L21/283
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種提高晶圓的高溫氧化物層均勻性的方法，包括：

對晶舟進行清洗后，將多片晶圓放入晶舟，在晶舟中對所述多片晶圓淀積高溫氧化物層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對晶舟進行清洗采用濃氫氟酸。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述氫氟酸的的濃度為大于等于40％，持續時間大于等于20分鐘。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述多片晶圓淀積高溫氧化物層應用于制作氧氮氧ONO結構中的高溫氧化物層；

或者應用于制作采用自對準硅化物方法形成柵極側壁阻擋層。