[發(fā)明專利]一種用于單晶硅絨面制備的腐蝕液及單晶硅絨面的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910085898.6 | 申請日： | 2009-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN101570897A | 公開（公告）日： | 2009-11-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李海玲;王文靜;趙雷;周春蘭;刁宏偉 | 申請（專利權）人： | 中國科學院電工研究所 |
| 主分類號： | C30B33/10 | 分類號： | C30B33/10;C30B29/06;C23F1/40 |
| 代理公司： | 北京科迪生專利代理有限責任公司 | 代理人： | 關 玲;賈玉忠 |
| 地址： | 100080北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 單晶硅 制備 腐蝕 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種用于單晶硅絨面制備的腐蝕液，其特征是所述腐蝕液組分為：1～5％(質(zhì)量比)的NaOH或KOH溶液，1-50mg/L的十二烷基硫酸鈉，0-6％(質(zhì)量比)的硅酸鈉。
2、采用權利要求1所述的腐蝕液制備單晶硅絨面的方法，其特征是按照所述的腐蝕液組分配置腐蝕液，然后將所述腐蝕液置于70-95℃溫度下，混合均勻后，將單晶硅片放置所述的腐蝕液中腐蝕10-60分鐘。
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