[發(fā)明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910085506.6
• 申請日: 2009-05-22
• 公開（公告）號(hào): CN101894807A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉圣烈;崔承鎮(zhèn);宋泳錫
• 申請（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/84
• 分類號(hào): H01L21/84;H01L21/027;H01L21/311;H01L27/12
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種TFT-LCD陣列基板的制造方法，所述陣列基板包括柵電極區(qū)域、數(shù)據(jù)線區(qū)域、半導(dǎo)體層區(qū)域，源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域、柵線區(qū)域及像素電極區(qū)域，其特征在于，包括：

步驟1：在透明基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜、源漏金屬薄膜及摻雜半導(dǎo)體薄膜，通過第一構(gòu)圖工藝形成包括摻雜半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形；

步驟2：沉積半導(dǎo)體薄膜，通過第二構(gòu)圖工藝形成包括TFT溝道和半導(dǎo)體層的圖形；

步驟3：沉積絕緣薄膜和柵金屬薄膜，通過第三構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖形。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟1具體包括：

提供透明基板；

在所述透明基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜、源漏金屬薄膜及摻雜半導(dǎo)體薄膜；

在摻雜半導(dǎo)體薄膜上涂敷光刻膠；

通過雙調(diào)掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光及顯影處理，使得所述數(shù)據(jù)線區(qū)域、源電極區(qū)域及漏電極區(qū)域的光刻膠具有第一厚度，所述像素電極區(qū)域的光刻膠具有第二厚度，所述第一厚度大于第二厚度，其余區(qū)域不存在光刻膠；

通過第一刻蝕工藝完全刻蝕掉所述其余區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜、源漏金屬薄膜和透明導(dǎo)電薄膜；

通過灰化工藝去除第二厚度的光刻膠，暴露出所述像素電極區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜；

通過第二刻蝕工藝完全刻蝕掉所述像素電極區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜、源漏金屬薄膜；

剝離剩余光刻膠。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟2具體包括：

沉積半導(dǎo)體薄膜；

在所述半導(dǎo)體薄膜上涂覆光刻膠；

通過掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理，僅在所述半導(dǎo)體層區(qū)域保留光刻膠；

通過第三刻蝕工藝刻蝕掉暴露出的半導(dǎo)體薄膜；

剝離剩余光刻膠。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟3具體包括：

沉積絕緣薄膜和柵金屬薄膜；

在所述柵金屬薄膜上涂覆光刻膠；

通過掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理，僅在所述柵電極區(qū)域和柵線區(qū)域上保留光刻膠；

通過第四刻蝕工藝刻蝕掉暴露出的柵金屬薄膜；

剝離剩余光刻膠。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣薄膜為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層薄膜，或這些材料多層沉積形成的多層薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述源漏金屬薄膜或柵金屬薄膜為鉬、鋁、鋁釹合金、鎢、鉻、銅形成的單層薄膜，或?yàn)橐陨辖饘俣鄬映练e形成的多層薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，通過磷酸和硝酸的混合物制得的刻蝕劑對源漏金屬薄膜進(jìn)行刻蝕；

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，通過硫酸或過氧化物對透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述源漏金屬薄膜為Mo或Mo/Al/Mo時(shí)，對所述摻雜半導(dǎo)體薄膜和所述源漏金屬薄膜連續(xù)進(jìn)行兩次干法刻蝕。

10.一種通過如權(quán)利要求1-9中任一所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法得到的TFT-LCD陣列基板。