[發明專利]基于邊帶注入鎖定用于產生高頻微波的集成光電子器件

無效

• 申請號: 200910085479.2
• 申請日: 2009-05-22
• 公開（公告）號: CN101566777A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發明（設計）人: 孫長征;黃縉;熊兵;羅毅
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G02F1/35
• 分類號: G02F1/35;H01S5/026;H04B10/155
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司
• 代理人: 朱 琨

1.基于邊帶注入鎖定用于產生高頻微波的集成光電子器件，其特征在于， 是一種在同一芯片上集成了兩個從激光器的Y分支波導耦合式光生微波集成光 電子器件，含有：

依次外延生長在N型襯底上的如下外延層：下包層、下波導層、多量子阱 有源層、光柵層、上波導層、上包層、歐姆接觸層，在所述N型襯底上鍍有N 型電極，在所述歐姆接觸層上鍍有P電極，

以及

制作在所述上包層上的脊波導結構，在所述脊波導結構的兩側用SiO₂絕緣 層來覆蓋或填平，脊頂上的SiO₂絕緣層被腐蝕，

以及

按兩段依次分別集成在所述脊波導結構兩端上的從激光器段和Y分支波導 段，其中：

所述的從激光器段由兩個作為從激光器的分布反饋激光器構成，兩個從激 光器工作在直流狀態，所述兩個分布反饋激光器的同側端用所述Y分支波導耦 合，在所述兩個分布反饋激光器與所述Y分支波導相連處有一個電隔離區，在 該電隔離區沒有所述P電極和所述歐姆接觸層，

另外，在所述光柵層上在生長過程中制作出光柵結構，并去除所述Y分支 波導段內的光柵結構，

所述集成光電子器件的Y分支波導端面采用抗反射鍍膜，控制光的反射率 在0.01～10％之間。

2.根據權利要求1所述的基于邊帶注入鎖定用于產生高頻微波的集成光電 子器件，其特征在于，所述從激光器段的兩個作為從激光器的分布反饋激光器 相互平行。

3.根據權利要求1所述的基于邊帶注入鎖定用于產生高頻微波的集成光電 子器件，其特征在于，所述從激光器段的長度為300～500μm，所述Y分支波 導的長度為200～500μm，所述電隔離區的長度為30～50μm。

4.根據權利要求1所述的基于邊帶注入鎖定用于產生高頻微波的集成光電 子器件，其特征在于，所述脊波導結構中的脊波導的寬度為2～4μm，高度為 1.3～1.6μm，并且在制作過程中其刻蝕深度不穿透所述上包層。

5.根據權利要求1所述的基于邊帶注入鎖定用于產生高頻微波的集成光電 子器件，其特征在于，外置分立且依次相互串接的可調諧激光器、外調制器和 環形器把所述外調制器產生的調制邊帶注入所述集成光電子器件，構成光生微 波系統。

6.基于邊帶注入鎖定用于產生高頻微波的集成光電子器件，其特征在于， 是一種在同一芯片上集成了兩個從激光器的多模干涉器耦合式光生微波集成光 電子器件，含有：

依次外延生長在N型襯底上的如下外延層：下包層、下波導層、多量子阱 有源層、光柵層、上波導層、上包層、歐姆接觸層，在所述N型襯底上鍍有N 型電極，在所述歐姆接觸層上鍍有P電極，

以及

制作在所述上包層上的脊波導結構，在所述脊波導結構的兩側用SiO₂絕緣 層來覆蓋或填平，脊頂上的SiO₂絕緣層被腐蝕，

以及

按兩段依次分別集成在所述脊波導結構兩端上的從激光器段和多模干涉器 段，其中：

所述的從激光器段由兩個相互平行且都作為從激光器的分布反饋激光器構 成，兩個從激光器工作在直流狀態，所述兩個分布反饋激光器的同側端用所述 多模干涉器耦合，在所述兩個分布反饋激光器與所述多模干涉器相連處有一個 電隔離區，在該電隔離區沒有所述P電極和所述歐姆接觸層，

另外，在所述光柵層上在生長過程中制作出光柵結構，并去除所述多模干 涉器段內的光柵結構，

所述集成光電子器件的多模干涉器(MMI)端面采用抗反射鍍膜，控制光的反 射率在0.01～10％之間。

7.根據權利要求6所述的基于邊帶注入鎖定用于產生高頻微波的集成光電 子器件，其特征在于，所述從激光器段的長度為300～500μm，所述多模干涉器 的長度為200～500μm，寬度為10～100μm，所述電隔離區的長度為30～50μm。