[發(fā)明專利]離子注入的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910085448.7
• 申請(qǐng)日: 2009-05-22
• 公開（公告）號(hào): CN101894748A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉金華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/265
• 分類號(hào): H01L21/265;H01L21/335
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 王一斌;王琦

1.一種離子注入的方法，該方法包括：

根據(jù)預(yù)先指定的離子注入順序進(jìn)行離子注入；

所述的預(yù)先指定的離子注入順序?yàn)椋烘N離子、砷離子、硼離子、銦離子和碳離子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

所述鍺離子的能量為5～40Kev；所述鍺離子的劑量為10¹³～10¹⁵/cm²。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

所述砷離子的能量為1～10Kev；所述砷離子的劑量為10¹⁴～5×10¹⁵/cm²。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

所述硼離子的能量為1～10Kev；所述硼離子的劑量為10¹³～10¹⁵/cm²。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

所述銦離子的能量為10～50Kev；所述銦離子的劑量為10¹³～10¹⁵/cm²。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

所述碳離子的能量為1～20Kev；所述碳離子的劑量為10¹³～10¹⁵/cm²。