[發明專利]腔室環境的控制方法有效
| 申請號： | 200910084869.8 | 申請日： | 2009-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN101894737A | 公開（公告）日： | 2010-11-24 |
| 發明（設計）人： | 吳桂龍 | 申請（專利權）人： | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;C23C16/30;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/311;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯長明;王寶筠 |
| 地址： | 100016 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 環境 控制 方法 | ||
1.一種腔室環境的控制方法，其特征在于，包括：
對晶片進行等離子體加工工藝前，在腔室內原位沉積鈍化層，接著進行該晶片的等離子體加工工藝。
2.根據權利要求1所述的腔室環境的控制方法，對多個晶片進行等離子體加工時，其特征在于，每連續加工一定數量的晶片后，在下一晶片加工前重新沉積一次鈍化層。
3.根據權利要求1或2所述的腔室環境的控制方法，其特征在于，在腔室內原位沉積鈍化層之后還包括：對所述鈍化層進行等離子體清洗，以去除所述鈍化層表面的附著物。
4.根據權利要求3所述的腔室環境的控制方法，對多個晶片進行等離子體加工時，所述去除鈍化層表面的附著物會消耗一定厚度的鈍化層，其特征在于，還包括：
在所述鈍化層被多次等離子體清洗所消耗盡之前，重新沉積鈍化層。
5.根據權利要求4所述的腔室環境的控制方法，其特征在于，所述重新沉積鈍化層的頻率由等離子體清洗的效果確定。
6.根據權利要求1所述的腔室環境的控制方法，其特征在于，所述鈍化層為抗含氟等離子體材料。
7.根據權利要求1所述的腔室環境的控制方法，其特征在于，所述鈍化層包括氧化硅、氧化鋁、氧化釔、氮化硅、氮化鈦和氮氧化硅中的一種或至少兩種的組合。
8.一種腔室環境的控制方法，其特征在于，包括以下處理步驟：
晶片進行等離子體加工工藝前，先對腔室內進行等離子體清洗，接著在清洗后的腔室內原位沉積鈍化層，接著進行該晶片的等離子體加工工藝。
9.根據權利要求8所述的腔室環境的控制方法，對多個晶片進行等離子體加工時，其特征在于，每一晶片進行等離子體加工工藝前均進行所述處理步驟。
10.根據權利要求8所述的腔室環境的控制方法，其特征在于，所述鈍化層為抗含氟等離子體材料。
11.根據權利要求8所述的腔室環境的控制方法，其特征在于，所述鈍化層包括氧化硅、氧化鋁、氧化釔、氮化硅、氮化鈦和氮氧化硅中的一種或至少兩種的組合。
12.一種腔室環境的控制方法，其特征在于，在包括以下步驟：
執行工藝機臺保養；
對腔室內進行等離子體清洗，以去除機臺保養過程中的雜質；
在清洗后的腔室內原位沉積鈍化層。
13.根據權利要求12所述的腔室環境的控制方法，其特征在于，所述鈍化層包括氧化硅、氧化鋁、氧化釔、氮化硅、氮化鈦和氮氧化硅中的一種或至少兩種的組合。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
