[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

無效

• 申請號: 200910084492.6
• 申請日: 2009-05-15
• 公開（公告）號: CN101887898A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發明（設計）人: 徐超;張彌;劉競
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/528;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

技術領域

本發明涉及一種液晶顯示器及其制造方法，尤其是一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法。

背景技術

由于薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?CrystalDisplay，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，近年來得到了迅速地發展，在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位。液晶面板是TFT-LCD中最重要的部件之一，主要包括對盒在一起并將液晶夾設其間的陣列基板和彩膜基板。其中陣列基板包括數條相互絕緣交叉的柵線和數據線，柵線和數據線限定了數個像素區域，每個像素區域內形成有像素電極和薄膜晶體管。制備TFT-LCD陣列基板是通過一組構圖工藝形成結構圖形來完成，一次構圖工藝形成一層結構圖形，對于TFT-LCD來說，TFT-LCD陣列基板以及制造工藝決定了其產品質量、成品率和價格。

在TFT-LCD陣列基板制備工藝中，雖然嚴格控制了生產環境中的顆粒(Particle)等級，但完全消除生產環境中的顆粒是不現實的，因此實際生產中因顆粒存在導致產品缺陷的現象經常發生，且顆粒主要會導致柵線斷線不良、數據線斷線不良或公共電極線斷線不良等缺陷，這些斷線不良不僅難以修復，而且導致后續工藝的浪費。

此外，現有TFT-LCD陣列基板通常采用柵線或與柵線同層的公共電極線作為存儲電容的一個電極板，形成在鈍化層上的像素電極作為存儲電容的另一個電極板。由存儲電容的公式可知，單位面積存儲電容的大小與兩個電極板之間的距離成反比，距離越大，單位面積存儲電容越小。由于現有技術TFT-LCD陣列基板中存儲電容兩個電極板之間的距離為柵絕緣層和鈍化層的厚度之和，距離較大，因此現有技術TFT-LCD陣列基板存在單位面積存儲電容較小的缺陷。

發明內容

本發明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，有效解決現有技術TFT-LCD陣列基板制備工藝中存在斷線不良等技術缺陷。

為了實現上述目的，本發明提供了一種TFT-LCD陣列基板，包括柵線和數據線，所述柵線和數據線限定的像素區域內形成有像素電極和薄膜晶體管，所述像素區域內還設置有形成雙層結構的柵線和/或數據線的連接電極。

所述連接電極可以包括與所述柵線同層設置并在同一次構圖工藝中形成的第一連接電極，所述柵線和第一連接電極上形成有柵絕緣層，所述柵絕緣層上開設有至少二個第一連接過孔，所述第一連接電極通過所述至少二個第一連接過孔與數據線連接，形成雙層結構的數據線。

所述連接電極也可以包括與所述數據線同層設置并在同一次構圖工藝中形成的第二連接電極，所述數據線和第二連接電極形成在柵絕緣層上，所述柵絕緣層上開設有至少二個第二連接過孔，所述第二連接電極通過所述至少二個第二連接過孔與柵線連接，形成雙層結構的柵線。

所述連接電極還可以包括與所述柵線同層設置并在同一次構圖工藝中形成的第一連接電極和與所述數據線同層設置并在同一次構圖工藝中形成的第二連接電極，所述柵線和第一連接電極上形成有柵絕緣層，所述數據線和第二連接電極形成在柵絕緣層上，所述柵絕緣層上開設有至少二個第一連接過孔和至少二個第二連接過孔，所述第一連接電極通過所述至少二個第一連接過孔與數據線連接，形成雙層結構的數據線，所述第二連接電極通過所述至少二個第二連接過孔與柵線連接，形成雙層結構的柵線。

所述連接電極還包括與所述像素電極同層設置并在同一次構圖工藝中形成的第四連接電極和第五連接電極，所述第四連接電極和第五連接電極形成在鈍化層上，所述鈍化層上開設有至少二個第四連接過孔和至少二個第五連接過孔，所述第四連接電極通過所述至少二個第四連接過孔與數據線連接，形成二個雙層結構的數據線，所述第五連接電極通過所述至少二個第五連接過孔與第二連接電極連接，形成二個雙層結構的柵線。

在上述技術方案基礎上，還包括與所述柵線同層設置并在同一次構圖工藝中形成的公共電極線，所述連接電極包括與所述數據線同層設置并在同一次構圖工藝中形成的第三連接電極，所述第三連接電極形成在柵絕緣層上，所述柵絕緣層上開設有至少二個第三連接過孔，所述第三連接電極通過所述至少二個第三連接過孔與公共電極線連接，形成雙層結構的公共電極線。

為了實現上述目的，本發明還提供了一種TFT-LCD陣列基板制造方法，包括：

步驟1、形成包括柵線、數據線、有源層、源電極和漏電極的圖形，所述柵線和/或數據線為雙層結構；

步驟2、在完成步驟1的基板上沉積鈍化層，形成包括鈍化層過孔的圖形，所述鈍化層過孔位于所述漏電極的所在位置；