[發明專利]磺化聚苯撐乙烯/水滑石復合發光超薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 200910084340.6
• 申請日: 2009-05-21
• 公開（公告）號: CN101560386A
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發明（設計）人: 陸軍;閆東鵬;衛敏;段雪
• 申請（專利權）人: 北京化工大學
• 主分類號: C09K11/06
• 分類號: C09K11/06
• 代理公司: 北京太兆天元知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 張洪年

1.磺化聚苯撐乙烯/水滑石復合發光超薄膜的制備方法，其特征在于， 其具體制備步驟如下：

1)制備層間陰離子為NO₃^-或者Cl^-，層板二價、三價陽離子摩爾比 M²⁺/M³⁺＝2.0-4.0的水滑石前體；

2)將步驟1)制備的水滑石前體加入甲酰胺溶劑里進行剝離，加入量為 0.5-2g/L，攪拌速度為3000-5000轉/分，反應12-36小時后離心，棄去沉淀 物，得到澄清透明膠體溶液A；

3)配制質量分數為0.001-0.1wt.％的磺化聚苯撐乙烯溶液B；

4)將親水化處理后帶負電荷的石英片，硅片或玻璃片在溶液A中浸泡 10-20分鐘，用去離子水充分清洗后，放置溶液B中，浸泡10-20分鐘并充 分清洗，得到一次循環的磺化聚苯撐乙烯/水滑石復合發光超薄膜；

5)重復步驟4)，得到多層磺化聚苯撐乙烯/水滑石復合發光超薄膜。

2.根據權利要求1所述的磺化聚苯撐乙烯/水滑石復合發光超薄膜的制 備方法，其特征在于，步驟1)中所述的水滑石前體的主體層板的二價金屬 陽離子為Mg²⁺、Co²⁺、Ni²⁺、Ca²⁺、Cu²⁺、Fe²⁺或Mn²⁺，三價金屬陽離子為 Al³⁺、Cr³⁺、Ga³⁺、In³⁺、Co³⁺、Fe³⁺或V³⁺。

3.根據權利要求1所述的磺化聚苯撐乙烯/水滑石復合發光超薄膜的制 備方法，其特征在于，步驟1)中所述的水滑石前體采用共沉淀法、成核晶 化/隔離法、非平衡晶化法、尿素法、離子交換法或水熱合成法制備。

4.根據權利要求1所述的磺化聚苯撐乙烯/水滑石復合發光超薄膜的制 備方法，其特征在于，步驟4)中所述的親水化處理方法為：將石英片，硅 片或玻璃片在濃H₂SO₄中浸泡30-50分鐘，然后用去離子水充分清洗至 pH＝7。