[發(fā)明專利]一種多樣性納米結(jié)構(gòu)的加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910083938.3
• 申請日: 2009-05-11
• 公開（公告）號: CN101554991A
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 毛海央;吳文剛;張煜龍;郝一龍;王陽元
• 申請（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 徐 寧;關(guān) 暢

1.一種多樣性納米結(jié)構(gòu)的加工方法，其步驟包括：

1)準(zhǔn)備并清洗襯底；

2)在所述襯底的表面上依次沉積薄膜一和薄膜二；

3)在所述薄膜二上旋涂光刻膠，并對所述光刻膠進(jìn)行前烘和曝光，之后對所 述光刻膠進(jìn)行顯影，在所述薄膜二上形成光刻膠圖形一；

4)采用氧等離子體去膠機(jī)對所述光刻膠圖形一進(jìn)行氧等離子體干法刻蝕，在 所述薄膜二上得到光刻膠圖形二；

5)用所述光刻膠圖形二作為掩模，各向異性刻蝕所述薄膜二，形成薄膜二的 納米結(jié)構(gòu)；

6)在所述薄膜二的納米結(jié)構(gòu)表面保形沉積薄膜三；

7)各向異性刻蝕所述薄膜三，在所述薄膜二的納米結(jié)構(gòu)四周形成薄膜三的納 米側(cè)墻；

8)各向異性刻蝕所述薄膜二的納米結(jié)構(gòu)，且所述薄膜二的材料的刻蝕速率高 于所述薄膜三的材料，在所述襯底表面上留下所述薄膜三的納米側(cè)墻；

9)以所述薄膜三的納米側(cè)墻為掩模，各向異性刻蝕所述襯底，且所述襯底的 材料的刻蝕速率高于所述薄膜三的材料，在襯底上得到最終納米結(jié)構(gòu)；

10)腐蝕掉所述最終納米結(jié)構(gòu)上殘留的薄膜三的納米側(cè)墻，在襯底表面上留 下所述最終納米結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的一種多樣性納米結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于：所述 步驟3)中，可通過紫外光刻設(shè)備得到所述光刻膠圖形一。

3.如權(quán)利要求1或2所述的一種多樣性納米結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于： 所述襯底、薄膜一、薄膜二和薄膜三的材料為微電子工藝和MEMS工藝中的常用材 料。