[發(fā)明專利]混合激發(fā)的納米薄膜發(fā)光屏無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910083926.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-05-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101553062A | 公開(公告)日: | 2009-10-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐征;趙謖玲;張福俊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京交通大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H05B33/12 | 分類號(hào): | H05B33/12;H05B33/14 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 100044北*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 混合 激發(fā) 納米 薄膜 發(fā)光 | ||
1.一種混合激發(fā)的納米薄膜發(fā)光屏,其特征在于:
它的結(jié)構(gòu)包括:在ITO導(dǎo)電玻璃(1)上,依次制作納米薄膜發(fā)光層(2),電子加速層(3)和Al電極(4);驅(qū)動(dòng)電源采用直流電源或交流電源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合激發(fā)的納米薄膜發(fā)光屏,其特征在于:在ITO導(dǎo)電玻璃(1)和納米薄膜發(fā)光層(2)之間制作半阻擋層(5),允許空穴注入,限制電子輸出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的混合激發(fā)的納米薄膜發(fā)光屏,其特征在于:納米薄膜發(fā)光層(2)的材料采用ZnS;電子加速層(3)的材料采用SiO2;半阻擋層(5)的材料用SiO2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的混合激發(fā)的納米薄膜發(fā)光屏,其特征在于:納米薄膜發(fā)光層(2)的厚度10~100nm,電子加速層(3)的厚度100~500nm,允許空穴注入的半阻擋層(5)的厚度5~20nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合激發(fā)的納米薄膜發(fā)光屏,其特征在于:驅(qū)動(dòng)電源采用直流時(shí),Al電極接負(fù),電源電壓幅值100~200V;驅(qū)動(dòng)電源采用交流時(shí),電源電壓幅值50~100V,頻率為50~500Hz。
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