[發明專利]降低連接孔接觸電阻的方法

無效

• 申請號: 200910083466.1
• 申請日: 2009-05-06
• 公開（公告）號: CN101882597A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: 聶佳相
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;C23C14/06
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種降低連接孔接觸電阻的方法，該方法包括在絕緣層和金屬互連線之間制作阻擋膜，所述阻擋膜為鉭Ta和氮化鉭TaN的疊層結構，其特征在于，所述制作阻擋膜的具體方法為：

在絕緣層的溝槽和連接孔的底部和側壁上形成TaN層(201)；

在所述TaN層(201)上形成Ta層(202)；

依次刻蝕連接孔底部上的Ta層(202)和TaN層(201)，形成開口，露出下層的銅互連線；

在溝槽及連接孔內的Ta層和露出的下層的銅互連線表面，沉積TaN層(401)；

在TaN層(401)的表面沉積Ta層(402)。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述TaN層(401)的厚度小于100埃。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述TaN層(401)的沉積在沉積反應腔內進行，具體工藝參數為：

沉積反應腔內靶上直流功率范圍在10千瓦KW至40KW之間；線圈上的直流功率在0至1000瓦W之間；線圈上的直流射頻功率在0至2500W之間；沉積反應腔底部交流偏置功率在0至1200W之間；向沉積反應腔中通入的氬氣Ar背吹系統流量范圍在2標準立方厘米每分鐘sccm至20sccm；從沉積反應腔的上部進入腔內的Ar流量范圍在2sccm至20sccm；通入氮氣N₂的流量為10sccm至60sccm；沉積TaN層的時間為0.5秒至5秒。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述沉積TaN層(401)的工藝參數為：

沉積反應腔內靶上直流功率為15KW；線圈上的直流功率為0W；線圈上的直流射頻功率為0W；沉積反應腔底部交流偏置功率為400W；向沉積反應腔中通入的Ar背吹系統流量為4sccm；從沉積反應腔的上部進入腔內的Ar流量為4sccm；通入N₂的流量為18sccm；沉積TaN層的時間為1秒。