[發明專利]一種掩蔽微結構的制備方法無效
| 申請號： | 200910082984.1 | 申請日： | 2009-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN101559916A | 公開（公告）日： | 2009-10-21 |
| 發明（設計）人： | 張大成;李婷;劉鵬;王瑋;羅葵;田大宇;李靜;王穎 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙） | 代理人： | 賈曉玲 |
| 地址： | 100871北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 掩蔽 微結構 制備 方法 | ||
1.一種掩蔽微結構的制備方法，其步驟包括：
1)在硅基片表面制成厚度為1～2μm的二氧化硅掩膜，并圖形化，對硅進行深刻蝕，形成微槽或微開口結構；
2)對上述微槽或微開口結構進行表面鈍化；
3)刻蝕去掉上述微槽或微開口結構的底部鈍化層；
4)對上述微槽或微開口結構的底部進行一定深度的預刻蝕，接著再各向同性刻蝕，形成微流道或微腔室；
5)去掉硅片表面的掩膜，以及微槽或微開口結構側壁的鈍化層；
6)回填上述微槽結構，在硅片內部形成掩蔽的微流道結構，或者回填上述微開口結構，在硅片內部形成掩蔽的微腔室結構。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，上述步驟1)中，用ASE或RIE各向異性干法刻蝕硅，形成微槽結構的寬度尺寸2～4μm。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，上述步驟1)中，用ASE或RIE各向異性干法刻蝕硅，形成微開口結構，該微開口的圖形為正方形，該正方形邊長尺寸為2～4μm。
4.如權利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，上述步驟2)中，用LPCVD淀積二氧化硅進行微槽或微開口結構的表面鈍化，二氧化硅的厚度范圍200～300nm。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，上述步驟3)中，用RIE各向異性干法刻蝕微槽或微開口結構的底部鈍化層。
6.如權利要求1或5所述的方法，其特征在于，上述步驟4)中，所述預刻蝕為，用ASE各向異性干法刻蝕。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，上述步驟4)中，所述各向同性刻蝕為，用ASE各向同性干法刻蝕。
8.如權利要求4所述的方法，其特征在于，上述步驟5)中，用BHF或HF濕法腐蝕，將硅基片上的二氧化硅完全腐蝕干凈。
9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，上述步驟6)中，用LPCVD淀積二氧化硅，回填上述微槽或微開口結構。
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