[發明專利]一種去除腔室副產物的等離子清洗方法和等離子處理系統

有效

• 申請號: 200910082929.2
• 申請日: 2009-04-24
• 公開（公告）號: CN101540272A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發明（設計）人: 吳桂龍
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;C23F4/00
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司
• 代理人: 蘇培華

1.一種去除腔室副產物的等離子清洗方法，其特征在于，

在零層刻蝕工藝步驟完成后包括：

排空腔室中的殘氣；

通入清洗氣體，以形成等離子體進行清洗操作；所述清洗氣體由氧氣和含氟氣體組成，其中，所述氧氣的流量為200sccm標況毫升每分，含氟氣體/氧氣的流量比率為0％-15％，所述進行清洗操作的時間為5-10秒；

清洗完成后，排空腔室中的殘氣。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述清洗氣體中含氟氣體/氧氣的流量比率為0％-10％。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述清洗氣體中含氟氣體/氧氣的流量比率為5％。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，

所述進行清洗操作的時間為5秒。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，

針對含氟氣體X_yF_z，z/y大于等于2。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述含氟氣體為SF₆，或者NF₃，或者二者的混合物。

7.一種刻蝕工藝的等離子處理系統，包括具有進氣口和抽氣系統的腔室，其特征在于，還包括：

排氣控制裝置，用于在具體刻蝕工藝步驟完成后開始清洗之前，以及清洗完成后，通過腔室的進氣口通入惰性氣體，并通過抽氣系統抽空腔室，以排走腔室中的殘氣；

清洗控制裝置，用于通過腔室的進氣口通入清洗氣體，并通過控制工藝條件形成等離子體，對腔室進行清洗操作；

其中，對零層刻蝕工藝步驟后的清洗氣體由氧氣和含氟氣體組成，所述氧氣的流量為200sccm標況毫升每分，含氟氣體/氧氣的流量比率為0％-15％，所述進行清洗操作的時間為5-10秒。

8.如權利要求7所述的等離子處理系統，其特征在于，

所述清洗氣體中含氟氣體/氧氣的流量比率為5％；

所述進行清洗操作的時間為5秒。

9.如權利要求7或8所述的等離子處理系統，其特征在于，

所述含氟氣體為SF₆，或者NF₃，或者二者的混合物。