[發明專利]電容裝置、電阻裝置和采用該裝置的姿態測量系統有效
| 申請號: | 200910082903.8 | 申請日: | 2009-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN101533840A | 公開(公告)日: | 2009-09-16 |
| 發明(設計)人: | 王自強;陳虹;姜漢鈞;張春;謝翔;賈晨;麥宋平;王志華;王紅梅 | 申請(專利權)人: | 清華大學;北京華清益康科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/04 | 分類號: | H01L27/04;H01L23/52;H01L23/29;H01L29/92;H01L29/00;G01B7/00 |
| 代理公司: | 北京億騰知識產權代理事務所 | 代理人: | 陳 霽 |
| 地址: | 10008*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容 裝置 電阻 采用 姿態 測量 系統 | ||
1.一種電容裝置,基于集成電路工藝,其特征在于,包括:
集成一個或多個電容器件的集成電路;
一個或多個第一導電體,集成在所述集成電路上并且外露在所述集成電路的表面,與所述一個或多個電容器件的第一極板一一對應連接;
一個或多個第二導電體,集成在所述集成電路上并且外露在所述集成電路的表面;
密封腔體,形成于所述集成電路的表面和集成電路的封裝之間,覆蓋所述一個或多個第一導電體和所述一個或多個第二導電體;
第三導電體,位于所述密封腔體內,所述第三導電體和所述一個或多個第一導電體以及所述一個或多個第二導電體的接觸關系隨著所述電容裝置的姿態變化而變化;
絕緣體,位于所述密封腔體內,與所述第三導電體互不相容。
2.根據權利要求1所述的電容裝置,其特征在于,所述電容器件的第一極板分為多個第一極板部分,所述第一導電體對應地分為多個第一導電體部分,所述第一導電體部分與對應的所述第一極板部分連接。
3.根據權利要求1所述的電容裝置,其特征在于,所述一個或多個電容器件的第一極板替代所述一個或多個第一導電體直接外露在所述集成電路的表面,所述密封腔體覆蓋所述一個或多個電容器件的第一極板和所述一個或多個第二導電體。
4.根據權利要求3所述的電容裝置,其特征在于,所述電容器件的第一極板分為多個第一極板部分。
5.根據權利要求1所述的電容裝置,其特征在于,所述第三導電體是導電液體,所述絕緣體是絕緣氣體;或者所述第三導電體是導電液體,所述絕緣體是與所述導電液體不同比重的絕緣液體;或者所述第三導電體是粉末狀導電固體,所述絕緣體是絕緣氣體。
6.根據權利要求1、2、3或4所述的電容裝置,其特征在于,還包括:
一個或多個第四導電體,集成在所述集成電路上,與所述一個或多個電容器件的第二極板一一對應連接;
一個或多個第五導電體,集成在所述集成電路上,與所述一個或多個第二導電體一一對應連接。
7.根據權利要求1或2所述的電容裝置,其特征在于,所述第一導電體由集成電路的第一導電層實現,所述電容器件的第一極板由集成電路的第二導電層實現,所述電容器件的第二極板由集成電路的第三導電層實現。
8.根據權利要求3或4所述的電容裝置,其特征在于,所述電容器件的第一極板由集成電路的第一導電層實現,所述電容器件的第二極板由集成電路的第二導電層實現。
9.一種電阻裝置,基于集成電路工藝,其特征在于,包括:
集成電路;
一個或多個第六導電體,集成在所述集成電路上并且外露在所述集成電路的表面;
一個或多個第七導電體,集成在所述集成電路上并且外露在所述集成電路的表面;
密封腔體,形成于所述集成電路的表面和集成電路的封裝之間,覆蓋所述一個或多個第六導電體和一個或多個第七導電體;
第八導電體,位于所述密封腔體內,所述第八導電體和所述電阻裝置的集成電路中的所述一個或多個第六導電體和所述一個或多個第七導電體的接觸關系隨著所述電阻裝置姿態的變化而變化;
絕緣體,位于所述密封腔體內,與所述第八導電體互不相容。
10.根據權利要求9所述的電阻裝置,其特征在于,所述第八導電體是導電液體,所述絕緣體是絕緣氣體;或者所述第八導電體是導電液體,所述絕緣體是與所述導電液體不同比重的絕緣液體;或者所述第八導電體是粉末狀導電固體,所述絕緣體是絕緣氣體。
11.根據權利要求9所述的電阻裝置,其特征在于,還包括:
一個或多個第九導電體,集成在所述集成電路上,與所述一個或多個第六導電體一一對應連接;
一個或多個第十導電體,集成在所述集成電路上,與所述一個或多個第七導電體一一對應連接。
12.一種姿態測量系統,其特征在于,包括:
根據權利要求1、2、3、4或6所述的電容裝置/權利要求9或11所述的電阻裝置;
電容/電阻值檢測模塊,與所述電容/電阻裝置連接,用于檢測并輸出所述電容/電阻裝置的電容/電阻值;
電容/電阻值處理與輸出模塊,與所述電容/電阻值檢測模塊連接,用于處理所述電容/電阻值并輸出姿態參數。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





