[發明專利]一種阻變層和具有該阻變層的阻變存儲器及制備工藝

有效

• 申請號: 200910082890.4
• 申請日: 2009-04-22
• 公開（公告）號: CN101872837A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發明（設計）人: 康晉鋒;高濱;余詩孟;劉力鋒;孫兵;劉曉彥;韓汝琦
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;G11C11/56
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 胡小永

1.一種阻變層的制備工藝，其特征在于，包括如下步驟：

S1，在底電極上依次淀積三層金屬薄膜，其中，上下兩層為鋁或鑭，中間層為制備所述阻變層的常規金屬薄膜；

S2，將所述三層金屬薄膜在惰性氣體的氣氛中進行退火處理，使得上下兩層金屬薄膜向中間層金屬薄膜中擴散并相互溶解形成合金薄膜；

S3，將經步驟S2退火后的合金薄膜在氧氣的氣氛中內進行退火處理，使合金薄膜被氧化形成金屬氧化物薄膜，所形成的金屬氧化物薄膜構成阻變存儲器的阻變層。

2.如權利要求1所述的阻變層的制備工藝，其特征在于，所述中間層為鉿或鋯。

3.如權利要求1所述的阻變層的制備工藝，其特征在于，所述上下兩層厚度均為3納米至7納米，所述中間層厚度為10納米至30納米。

4.如權利要求3所述的阻變層的制備工藝，其特征在于，所述退火處理的溫度為500℃至800℃，進行5至30分鐘。

5.如權利要求2所述的阻變層的制備工藝，其特征在于，所述上下兩層為鋁，中間層為鉿。

6.如權利要求5所述的阻變層的制備工藝，其特征在于，所述上下兩層厚度均為5納米，所述中間層厚度為20納米。

7.如權利要求6所述的阻變層的制備工藝，其特征在于，所述退火在600℃的溫度條件下進行20分鐘。

8.如權利要求1所述的阻變層的制備工藝，其特征在于，所述步驟S1中的淀積方式為物理氣相淀積。

9.一種利用權利要求1至8之任一所述的阻變層的制備工藝制備的阻變層。

10.一種阻變存儲器的制備工藝，其特征在于，所述制備工藝包括如下步驟：

A1，在一個襯底上淀積底電極；

A2，通過如權利要求1至8之任一所述的阻變層的制備工藝制得阻變層；

A3，在所述阻變層上淀積頂電極；

A4，利用光刻技術將所述底電極、阻變層和頂電極隔離成分立的存儲單元之后，所述底電極、阻變層，頂電極和襯底形成所述阻變存儲器。

11.如權利要求10所述的阻變存儲器的制備工藝，其特征在于，在所述步驟A4之后還包括對所述阻變存儲器進行引線和鈍化的步驟。

12.一種利用權利要求10所述的阻變存儲器的制備工藝制備的阻變存儲器。

13.如權利要求12所述的阻變存儲器，其特征在于，將所述阻變存儲器進行引線和鈍化。