[發(fā)明專利]等離子體處理設(shè)備及向其靜電卡盤上放置待加工件的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910082458.5 | 申請(qǐng)日: | 2009-04-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101866823A | 公開(公告)日: | 2010-10-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏小波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H01L21/683;H01L21/68;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏曉波;逯長(zhǎng)明 |
| 地址: | 100016 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子體 處理 設(shè)備 靜電 卡盤 放置 工件 方法 | ||
1.一種向靜電卡盤上放置待加工件的方法,所述靜電卡盤位于工藝腔室中,且所述靜電卡盤上開有針孔,所述針孔中設(shè)有能夠豎直升降的頂針,所述待加工件由機(jī)械手托入工藝腔室中,該方法包括以下步驟:
1)提供定位裝置;
2)將所述定位裝置置于所述工藝腔室中,并固定所述定位裝置相對(duì)于所述靜電卡盤的水平位置;
3)將所述機(jī)械手送入所述工藝腔室中,并通過所述定位裝置唯一確定所述機(jī)械手的水平位置;所述機(jī)械手處于該水平位置時(shí),所述待加工件的中心位于所述靜電卡盤的中心的正上方;
4)記錄并保存處于所述水平位置時(shí)所述機(jī)械手的水平位置參數(shù);
5)自所述反應(yīng)腔室中退出所述機(jī)械手,并自所述反應(yīng)腔室中取出所述定位裝置;
6)根據(jù)步驟4)所記錄的水平位置參數(shù)將托有所述待加工件的機(jī)械手送入所述工藝腔室中,通過所述頂針托起所述待加工件,并放置于所述靜電卡盤上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述定位裝置的底部具有容納所述頂針的定位孔;在步驟2)中,所述定位裝置放置于所述靜電卡盤的上表面,兩者的水平位置由所述定位孔以及頂針固定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述定位裝置的底部的橫截面呈圓形,且所述橫截面的直徑等于圍繞所述靜電卡盤的聚焦環(huán)的直徑;在步驟2)中,所述定位裝置以其底部卡入所述聚焦環(huán)之中,從而固定其相對(duì)于所述靜電卡盤的水平位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述定位裝置包括具有圓柱形的下部和具有圓柱形的上部,所述上部位于所述下部的上底面上,且二者的軸線互相重合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述機(jī)械手送入工藝腔室中的一端具有定位凹槽,所述定位凹槽的定位面與所述上部的側(cè)壁相配合;在步驟3)中所述的機(jī)械手插入所述工藝腔室中,其水平位置由所述定位面和所述上部的側(cè)壁確定。
6.一種等離子體處理設(shè)備,包括位于工藝腔室中的靜電卡盤,所述靜電卡盤上開有針孔,其中設(shè)有能夠豎直升降的頂針,所述頂針用于托起由機(jī)械手送入的待加工件,并通過縮回使所述待加工件放置于所述靜電卡盤上,其特征在于,所述等離子體處理設(shè)備還包括可選擇地設(shè)于所述工藝腔室中的定位裝置,所述定位裝置在所述工藝腔室中具有唯一確定的水平位置;所述定位裝置能夠唯一限定所述機(jī)械手在所述工藝腔室中的水平位置,所述機(jī)械手處于該水平位置時(shí),所述待加工件的中心位于所述靜電卡盤的中心的正上方。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體處理設(shè)備,其特征在于,所述定位裝置的底部具有容納所述頂針的定位孔,所述定位裝置與所述靜電卡盤在水平方向上的相對(duì)位置由所述頂針和所述定位孔唯一確定。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的等離子體處理設(shè)備,其特征在于,所述定位裝置的底部的橫截面呈圓形,且所述橫截面的直徑等于圍繞所述靜電卡盤的聚焦環(huán)的直徑。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體處理設(shè)備,其特征在于,所述定位裝置包括具有圓柱形的下部和具有圓柱形的上部,所述上部位于所述下部的上底面上,且二者的軸線互相重合。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體處理設(shè)備,所述的機(jī)械手送入工藝腔室中的一端具有定位凹槽,所述定位凹槽的定位面與所述上部的側(cè)壁相配合。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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