[發(fā)明專利]半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的測試方法及測試結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910082352.5
• 申請日: 2009-04-14
• 公開（公告）號: CN101865971A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沈良;邵芳;黃威森
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R19/00
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET的測試結(jié)構(gòu)，由測試平臺通過從MOSFET引出的接點(diǎn)墊pad對MOSFET進(jìn)行測試，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包括：MOSFET和金屬引線，其中，

從MOSFET的兩個源極分別直接引出MOSFET兩個源極pad、通過金屬引線從MOSFET1的兩個漏極分別引出MOSFET兩個漏極pad、通過金屬線從MOSFET的兩個柵極分別引出MOSFET兩個柵極pad、及通過金屬線從MOSFET的器件襯底引出兩個襯底pad。

2.如權(quán)利要求1所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測試結(jié)構(gòu)還包括從MOSFET通過金屬引線引出的兩個測試pad，在測試平臺的監(jiān)控下分別檢測MOSFET兩個漏極電壓，當(dāng)檢測得到MOSFET一個或兩個漏極電壓小于設(shè)定的測試電壓值時，測試平臺通過MOSFET相應(yīng)漏極pad對MOSFET相應(yīng)漏極電壓補(bǔ)償。

3.如權(quán)利要求2所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述設(shè)定的電壓值根據(jù)設(shè)計MOSFET漏極電壓確定；

所述電壓補(bǔ)償值根據(jù)MOSFET漏極的pad和MPSFET漏極之間金屬引線上的寄生電阻確定。

4.一種MOSFET的測試方法，其特征在于，該方法包括：

從MOSFET的兩個源極分別直接引出MOSFET兩個源極pad、通過金屬引線從MOSFET1的兩個漏極分別引出MOSFET兩個漏極pad、通過金屬線從MOSFET的兩個柵極分別引出MOSFET兩個柵極pad、及通過金屬線從MOSFET的器件襯底引出兩個襯底pad；

將所述引出的兩個源極pad、兩個漏極pad、兩個柵極pad及兩個襯底pad分別接入測試平臺，由測試平臺通過從MOSFET引出的接點(diǎn)墊pad對MOSFET進(jìn)行測試。

5.如權(quán)利要求4所述的測試方法，其特征在于，從MOSFET通過金屬引線引出兩個測試pad，該方法還包括：

測試平臺通過兩個測試pad分別檢測MOSFET兩個漏極電壓，當(dāng)檢測得到MOSFET一個或兩個漏極電壓小于設(shè)定的測試電壓值時，測試平臺通過MOSFET相應(yīng)漏極pad對MOSFET相應(yīng)漏極進(jìn)行電壓補(bǔ)償。

6.如權(quán)利要求5所述的測試方法，其特征在于，所述設(shè)定的電壓值根據(jù)設(shè)計MOSFET漏極電壓確定；

所述電壓補(bǔ)償值根據(jù)MOSFET漏極的pad和MPSFET漏極之間金屬引線上的寄生電阻確定。