[發明專利]監測曝光機臺焦平面變化的方法無效
| 申請號： | 200910082351.0 | 申請日： | 2009-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN101866111A | 公開（公告）日： | 2010-10-20 |
| 發明（設計）人： | 覃柳莎 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 監測 曝光 機臺 平面 變化 方法 | ||
1.一種監測曝光機臺焦平面變化的方法，包括設置側壁角SWA與焦距的對應關系并擬和出所述對應關系曲線，該方法還包括：在曝光機臺曝光過程中，監測側壁角，從所述擬和曲線中確定側壁角所對應的焦距值，確定焦平面是否發生變化。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述設置側壁角與焦距的對應關系并擬和出所述對應關系曲線的具體方法為：
選擇不同焦距點，獲得每個焦距所對應的晶圓光阻膜格柵圖案的側壁角值，得到側壁角與焦距的對應關系；
根據側壁角與焦距的對應關系得到所述側壁角與焦距的擬和曲線。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述獲得每個焦距所對應的晶圓光阻膜格柵圖案的側壁角值的具體方法為：利用散射儀的光學關鍵尺寸量測系統，對所述晶圓光阻膜格柵圖案進行光學測量，獲得所述光阻膜格柵圖案的光譜；對所述光譜進行分析，得到側壁角的值。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述曝光機臺焦平面的具體變化為：SWA變化0.5度時，焦距變化20納米。
5.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述獲得光譜的時間為2至3分鐘。
6.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述散射儀的波長為250納米至750納米。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述確定焦平面是否發生變化的方法為與設定的焦距值作比較，在監測過程中檢測到SWA值所對應的焦距值偏離所述設定焦距值時，焦平面發生變化。
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