[發(fā)明專利]環(huán)形腔光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910081989.2 | 申請日： | 2009-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN101867153A | 公開（公告）日： | 2010-10-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 鄭婉華;劉安金;邢名欣;渠宏偉;周文君;陳微;陳良惠 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183;H01S5/06;H01S5/30;H01S5/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 環(huán)形 光子 晶體 垂直 發(fā)射 激光器 | ||
1.一種環(huán)形腔光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，該垂直腔面發(fā)射激光器由下至上依次由下電極(1)、n型襯底(2)、下DBR(3)、有源區(qū)(4)、氧化層(5)、刻有空氣孔的上DBR(6)、p型蓋層(7)和上環(huán)形電極(8)、空氣孔區(qū)(9)和環(huán)形出光孔區(qū)(10)構成。
2.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)形腔光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述空氣孔區(qū)(9)中的空氣孔是三角晶格排列的光子晶體空氣孔，或者是四方晶格排列的光子晶體空氣孔。
3.根據(jù)權利要求2所述的環(huán)形腔光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述三角晶格排列光子晶體空氣孔或者四方晶格排列的光子晶體空氣孔，其元胞是圓形空氣孔型、橢圓形空氣孔型或者方形空氣孔型。
4.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)形腔光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述環(huán)形出光孔區(qū)(10)為被空氣孔包圍的區(qū)域。
5.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)形腔光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述空氣孔區(qū)(9)是高損耗區(qū)。
6.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)形腔光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，該垂直腔面發(fā)射激光器所設計的氧化孔徑比環(huán)形出光孔的外徑大。
7.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)形腔光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述空氣孔區(qū)(9)中空氣孔的刻蝕深度為上DBR(3)厚度的40％～80％。
8.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)形腔光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述上環(huán)形電極(8)蒸鍍在p型蓋層(7)的表面，所述下電極(1)蒸鍍在n型襯底(2)的下表面。
9.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)形腔光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述上環(huán)形電極(8)采用的材料為TiAu合金，下電極(1)采用的材料為AuGeNiAu合金。
10.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)形腔光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述下DBR(3)的反射率高于所述上DBR(6)的反射率。
11.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)形腔光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，該垂直腔面發(fā)射激光器的工作波長覆蓋深紫外到遠紅外波段。
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