[發(fā)明專利]場效應(yīng)晶體管側(cè)墻的應(yīng)力測試方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910081512.4
• 申請日: 2009-04-10
• 公開（公告）號: CN101540292A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳會(huì)軍;張大成;李婷;羅葵;田大宇;李靜;王穎
• 申請（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01L1/06;H01L29/772
• 代理公司: 北京君尚知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙）
• 代理人: 賈曉玲

1.一種場效應(yīng)晶體管側(cè)墻應(yīng)力的測試方法，其步驟包括：

1)在襯底上制備臺階，所述臺階為柵結(jié)構(gòu)；

2)在柵結(jié)構(gòu)上制備氮化硅或氧化硅，各向異性刻蝕，形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)；

3)定義釋放區(qū)域，釋放側(cè)墻，使其形成納米梁結(jié)構(gòu)，其步驟包括：

首先在柵結(jié)構(gòu)和側(cè)墻結(jié)構(gòu)上覆蓋一層多晶硅薄膜，然后，刻蝕覆蓋在所述柵結(jié)構(gòu)的一端的多晶硅薄膜，以所覆蓋的多晶硅薄膜的剩余部分為掩模，腐蝕掉暴露出的側(cè)墻，將側(cè)墻的端頭露出，形成納米梁結(jié)構(gòu)的活動(dòng)端；

進(jìn)一步，光刻露出要釋放的納米梁區(qū)域，利用各向同性反應(yīng)離子刻蝕釋放區(qū)域內(nèi)覆蓋的多晶硅薄膜和柵結(jié)構(gòu)的多晶硅、利用各向異性反應(yīng)離子刻蝕柵結(jié)構(gòu)的氧化硅、再用各向同性反應(yīng)離子刻蝕去除部分襯底，使側(cè)墻釋放；

4)利用納米梁結(jié)構(gòu)的材料楊氏模量、材料波松比和厚度，通過測得納米梁的彎曲曲率半徑、彎曲前的長度和彎曲后的長度，分別得到釋放前納米梁中軸應(yīng)力和納米梁釋放前沿厚度方向的應(yīng)力梯度，從而得到側(cè)墻的應(yīng)力。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟4)中，通過拍電鏡照片測得該納米梁的彎曲曲率半徑、彎曲前的長度和彎曲后的長度。