[發(fā)明專利]一種快速產(chǎn)生和控制導(dǎo)電聚偏氟乙烯導(dǎo)電層的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910081431.4 | 申請日: | 2009-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN101524893A | 公開(公告)日: | 2009-09-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔣毅堅(jiān);劉瑩 | 申請(專利權(quán))人: | 北京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號: | B29C71/04 | 分類號: | B29C71/04 |
| 代理公司: | 北京思海天達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 張 慧 |
| 地址: | 100124*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 快速 產(chǎn)生 控制 導(dǎo)電 聚偏氟 乙烯 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及導(dǎo)電聚合物的制備和激光微加工領(lǐng)域。尤指激光制備導(dǎo)電聚 偏氟乙烯過程中,一種在聚偏氟乙烯(PVDF)材料表面快速產(chǎn)生導(dǎo)電層,并 控制導(dǎo)電區(qū)域的方法。
背景技術(shù)
采用激光制備導(dǎo)電聚合物的研究從美國Rice大學(xué)M.Schumann等發(fā)表 在《Applied?Physics?Letters》1991,58,428-430的第一篇報道開始,他 們采用的是248nm?KrF脈沖激光輻照方法制備導(dǎo)電聚酰亞胺(Kapton,PI) 或聚苯并咪唑(PBI),不同能量密度下,激光脈沖個數(shù)在1000個左右后,電 導(dǎo)率發(fā)生突變,提高了15個數(shù)量級為1-10Ω-1cm-1。隨后,該領(lǐng)域的研究成 果很多,如Ning?Dong等在《Chinese?Science?Bulletin》1996,41,895-899 上報道,KrF激光能量密度為30mJ/cm2,脈沖個數(shù)5000個時,其電導(dǎo)率增加 了5個數(shù)量級;Zongyi?Qin等在《Surface?and?Interface?Analysis》2000, 29,514-518上報道KrF激光輻照聚酰亞胺1000個脈沖后,電導(dǎo)率為0.1Ω-1cm-1,激光能量密度為50mJ/cm2;Ji?YL,Jiang?YJ等在《Applied?Physics? Letters》2006,89,221103上報道采用KrF激光輻照聚偏氟乙烯,在能量密度 190mJ/cm2,脈沖頻率為10Hz,脈沖個數(shù)達(dá)600個時,誘導(dǎo)材料表面發(fā)生改 性,電導(dǎo)率增加了9個數(shù)量級達(dá)1.0×10-4Ω-1cm-1;申請?zhí)枮?00810222223.7、 名稱為“高導(dǎo)電聚偏氟乙烯材料的準(zhǔn)分子激光制備方法及其裝置”的專利申 請中,也采用KrF激光輻照聚偏氟乙烯,在能量密度44mJ/cm2,脈沖頻率為 4Hz,脈沖個數(shù)300個時,獲得均勻的導(dǎo)電層,同時導(dǎo)電率增加了12個數(shù)量 級達(dá)4.2×10-1Ω-1cm-1。
對目前的研究成果分析發(fā)現(xiàn),只有當(dāng)激光能量密度達(dá)到域值能量后,在 一定的脈沖個數(shù)作用下,材料表面才發(fā)生改性。激光能量密度越大,需要的 脈沖個數(shù)越少,制備時間越短。但是,由于材料本身物理化學(xué)性質(zhì)的限制, 激光能量密度存在上限。對于低能量密度的條件,目前所需要的脈沖個數(shù)至 少300個以上,因此實(shí)現(xiàn)快速制備導(dǎo)電層受到阻礙。另外,制備過程中,導(dǎo) 電層的活性中心隨機(jī)出現(xiàn),無法對導(dǎo)電區(qū)域的進(jìn)行人為控制。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有制備方法的上述缺陷,本發(fā)明提出了一種可快速產(chǎn)生導(dǎo)電 層、同時完成對導(dǎo)電區(qū)域控制的方法,以完善該領(lǐng)域制備工藝。
本發(fā)明的基本思想是:通過在其表面構(gòu)造缺陷以達(dá)到快速制備的目的, 從而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電區(qū)域的控制,避免了激光輻照的消耗時間及能源等問題。
本發(fā)明采用的具體技術(shù)方案如下:本發(fā)明采用兩組光路系統(tǒng),分別是準(zhǔn)分 子激光掩模直寫光路系統(tǒng)和準(zhǔn)分子激光輻照光路系統(tǒng)。其中:準(zhǔn)分子激光掩 模直寫光路系統(tǒng)沿光的傳播方向依次設(shè)置了激光器、第一反射鏡、第二反射 鏡、掩模、第三反射鏡、第一會聚透鏡、樣品和三維工作臺。準(zhǔn)分子激光輻 照光路系統(tǒng)沿光的傳播方向依次設(shè)置激光器、第一級復(fù)眼、第二級復(fù)眼、第 二會聚透鏡、第三會聚透鏡和工作臺。
本發(fā)明中的方法包括利用準(zhǔn)分子激光掩模直寫光路系統(tǒng)對試樣表面進(jìn)行 織構(gòu)和利用準(zhǔn)分子激光輻照光路系統(tǒng)對織構(gòu)后的試樣進(jìn)行改性,具體步驟如 下:
1)選取厚度大于或等于0.5mm(毫米)的聚偏氟乙烯(PVDF)材料薄膜 為樣品材料,并對其進(jìn)行清洗;
2)將清洗后的樣品置于準(zhǔn)分子激光掩模直寫光路系統(tǒng)的三維工作臺上, 按照具體導(dǎo)電層要求進(jìn)行表面微結(jié)構(gòu)的織構(gòu);
3)將織構(gòu)后的樣品置于準(zhǔn)分子激光輻照光路系統(tǒng)的工作臺上,完成準(zhǔn)分 子激光輻照改性,誘導(dǎo)聚偏氟乙烯表面導(dǎo)電層生成。
步驟2)中所述的采用準(zhǔn)分子激光掩模直寫光路系統(tǒng)在聚偏氟乙烯表面進(jìn) 行織構(gòu),以達(dá)到植入表面缺陷的目的,具體按以下步驟進(jìn)行:
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