[發(fā)明專利]以光刻膠為掩膜對(duì)二氧化硅進(jìn)行深刻蝕的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910081225.3
• 申請(qǐng)日: 2009-03-30
• 公開（公告）號(hào): CN101852893A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李艷;楊富華;裴為華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號(hào): G02B6/136
• 分類號(hào): G02B6/136
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種以光刻膠為掩膜對(duì)二氧化硅進(jìn)行深刻蝕的方法，其特征在于，該方法包括：

步驟1：在二氧化硅樣品表面制備光刻膠掩膜；

步驟2：對(duì)光刻膠掩膜進(jìn)行梯度升溫堅(jiān)膜；

步驟3：采用ICP干法刻蝕二氧化硅樣品。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以光刻膠為掩膜對(duì)二氧化硅進(jìn)行深刻蝕的方法，其特征在于，所述步驟1包括：

將二氧化硅樣品清洗后，經(jīng)過勻膠、前烘、曝光、后烘和顯影，制備出光刻膠掩膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的以光刻膠為掩膜對(duì)二氧化硅進(jìn)行深刻蝕的方法，其特征在于，所述光刻膠采用厚膠，轉(zhuǎn)速2500～3000轉(zhuǎn)，光刻膠的厚度為7～10微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以光刻膠為掩膜對(duì)二氧化硅進(jìn)行深刻蝕的方法，其特征在于，所述步驟2包括：

將二氧化硅樣品放置在烘箱中，120℃先堅(jiān)膜60分鐘以上，升溫至150℃再堅(jiān)膜30～60分鐘。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以光刻膠為掩膜對(duì)二氧化硅進(jìn)行深刻蝕的方法，其特征在于，所述步驟3包括：

將二氧化硅樣品送入真空室，襯底溫度設(shè)在20℃，并使用He氣冷卻，采用上電極功率為1000～1200W，下電極功率為280～320W，氣壓為0.5Pa，并添加10～15sccm的H₂提高選擇比，刻蝕氣體C₄F₈為15～20sccm，稀釋氣體He為170sccm，反應(yīng)時(shí)間為1小時(shí)。