[發(fā)明專利]在集成電路片內(nèi)制作集成矩形波導(dǎo)諧振腔的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910080918.0
• 申請日: 2009-03-25
• 公開（公告）號: CN101847773A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王顯泰;金智;吳旦昱
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01P11/00
• 分類號: H01P11/00;H01L21/02
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種在集成電路片內(nèi)制作集成矩形波導(dǎo)諧振腔的方法，其特征在于，該方法包括：

步驟101：選擇襯底，在選擇的襯底上旋涂光刻膠，并光刻顯影，形成諧振腔底面的金屬圖形；

步驟102：在形成底面金屬圖形的襯底上淀積金屬，剝離在底面金屬圖形之外淀積的金屬，形成諧振腔的金屬底面；

步驟103：在形成諧振腔金屬底面的襯底上旋涂光刻膠，并光刻顯影曝光，形成諧振腔側(cè)壁的金屬圖形；

步驟104：淀積并剝離金屬，形成諧振腔的金屬側(cè)壁；

步驟105：在形成諧振腔金屬側(cè)壁的襯底上淀積或旋涂一層介質(zhì)材料，并加熱固化形成介質(zhì)層；

步驟106：對形成的介質(zhì)層進行刻蝕或腐蝕，直至露出諧振腔側(cè)壁金屬的上邊沿；

步驟107：重復(fù)執(zhí)行步驟103至步驟106，形成足夠高度的諧振腔的金屬側(cè)壁；

步驟108：在形成金屬側(cè)壁的襯底上旋涂光刻膠，并光刻顯影，形成諧振腔頂面的金屬圖形；

步驟109：在形成頂面金屬圖形的襯底上淀積金屬，剝離在頂面金屬圖形之外淀積的金屬，形成諧振腔的金屬頂面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在集成電路片內(nèi)制作集成矩形波導(dǎo)諧振腔的方法，其特征在于，步驟101中所述襯底為半導(dǎo)體材料襯底，或者為陶瓷基片；所述在襯底上旋涂的光刻膠為AZ5214膠。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在集成電路片內(nèi)制作集成矩形波導(dǎo)諧振腔的方法，其特征在于，步驟102中所述在形成底面金屬圖形的襯底上淀積的金屬為金、鋁或銅，淀積方式采用金屬蒸發(fā)、濺射或電鍍，金屬的厚度為3um。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在集成電路片內(nèi)制作集成矩形波導(dǎo)諧振腔的方法，其特征在于，步驟103中所述旋涂的光刻膠為AZ6420膠，旋涂光刻膠的厚度為10um，在光刻顯影曝光形成諧振腔側(cè)壁的金屬圖形時，利用厚膠底部發(fā)生光線散射擴寬的特性，采用增加曝光的方式使得圖形開口形成倒梯形，對所淀積的金屬起到切斷功能，使側(cè)壁金屬淀積之后更易于剝離。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在集成電路片內(nèi)制作集成矩形波導(dǎo)諧振腔的方法，其特征在于，步驟104中所述淀積的金屬為金、鋁或銅，淀積方式采用金屬蒸發(fā)、濺射或電鍍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在集成電路片內(nèi)制作集成矩形波導(dǎo)諧振腔的方法，其特征在于，步驟105中所述在形成諧振腔金屬側(cè)壁的襯底上淀積或旋涂的介質(zhì)材料為BCB或PI膠。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在集成電路片內(nèi)制作集成矩形波導(dǎo)諧振腔的方法，其特征在于，步驟106中所述對形成的介質(zhì)層進行刻蝕，采用反應(yīng)離子刻蝕方法，利用四氟化碳和氧氣進行刻蝕。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在集成電路片內(nèi)制作集成矩形波導(dǎo)諧振腔的方法，其特征在于，步驟108中所述在襯底上旋涂的光刻膠為AZ5214膠。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在集成電路片內(nèi)制作集成矩形波導(dǎo)諧振腔的方法，其特征在于，步驟109中所述在形成頂面金屬圖形的襯底上淀積的金屬為金、鋁或銅，淀積方式采用金屬蒸發(fā)、濺射或電鍍，金屬的厚度為3um。