[發明專利]一種用于等離子體浸沒注入劑量檢測的法拉第裝置有效
| 申請號: | 200910080916.1 | 申請日: | 2009-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN101847559A | 公開(公告)日: | 2010-09-29 |
| 發明(設計)人: | 汪明剛;劉杰;夏洋;李超波;陳瑤;趙麗莉 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號: | H01J37/244 | 分類號: | H01J37/244;H01J37/02;H01L21/66 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 周國城 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 等離子體 浸沒 注入 劑量 檢測 法拉第 裝置 | ||
1.一種用于等離子體浸沒注入劑量檢測的法拉第裝置,其特征在于,該裝置包括一個用于將收集到的離子流轉化成電信號的法拉第杯(40)和一個為該法拉第杯安裝提供支撐的保護環(33)。
2.根據權利要求1所述的用于等離子體浸沒注入劑量檢測的法拉第裝置,其特征在于,所述法拉第杯(40)由杯身和杯口構成,
杯身具有三層結構,在電性上分別是外導電層(44)、杯身絕緣層(43)和內導電層(42),外導電層(44)用于屏蔽,杯身絕緣層(43)用于隔離內導電層和外導電層,內導電層(42)用于收集信號;
杯口具有三層結構,在電性上分別是上導電層(80a)、杯口絕緣層(80b)和下導電層(80c),上導電層(80a)用于接負偏壓,杯口絕緣層(80b)用于隔離上導電層和下導電層,內導電層(80c)用于收集從法拉第杯(40)內部跑到杯口的二次電子。
3.根據權利要求2所述的用于等離子體浸沒注入劑量檢測的法拉第裝置,其特征在于,
所述內導電層(42)的材料是鋁、不銹鋼、石墨,或者是鋁、不銹鋼和石墨的任意組合;
所述外導電層(44)的材料是鋁、不銹鋼,或者是鋁和不銹鋼的任意組合;
所述杯身絕緣層(43)的材料是聚四氟乙烯、石英或陶瓷。
4.根據權利要求2所述的用于等離子體浸沒注入劑量檢測的法拉第裝置,其特征在于,所述杯口具有的三層結構是三片分立的塊材,或者是一片在絕緣層兩面分別鍍有導電層的塊材。
5.根據權利要求2所述的用于等離子體浸沒注入劑量檢測的法拉第裝置,其特征在于,
所述上導電層(80a)的材料是碳化硅或石墨;
所述杯口絕緣層(80b)的材料是鋁、不銹鋼,或者是鋁和不銹鋼的任意組合;
所述下導電層(80c)的材料是碳化硅或石墨。
6.根據權利要求2所述的用于等離子體浸沒注入劑量檢測的法拉第裝置,其特征在于,所述杯口進一步開有多個通孔,用于使離子能夠進入法拉第杯。
7.根據權利要求6所述的用于等離子體浸沒注入劑量檢測的法拉第裝置,其特征在于,所述通孔是圓孔或狹縫,通孔的排布是規則均勻排布或者是不規則無序排布。
8.根據權利要求1所述的用于等離子體浸沒注入劑量檢測的法拉第裝置,其特征在于,所述保護環(33)為環狀,其上開有與法拉第杯的杯口相同形狀的孔。
9.根據權利要求8所述的用于等離子體浸沒注入劑量檢測的法拉第裝置,其特征在于,所述保護環(33)的材料是鋁、不銹鋼,或者是鋁和不銹鋼的任意組合。
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