[發明專利]一種具有單晶和多晶結構的金納米線的制備方法

無效

• 申請號: 200910080813.5
• 申請日: 2009-03-23
• 公開（公告）號: CN101845646A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發明（設計）人: 周兆英;楊興;張旻;鐘強
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: C25D5/00
• 分類號: C25D5/00;C25D5/18;C25D7/12;C30B29/02;C30B29/62;C30B30/02
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 高存秀

1.一種具有單晶和多晶結構的金納米線的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)采用半導體鍍膜工藝在硅片上，形成間距為2～100um的任意形狀金屬電極對；

2)將步驟1)得到的有金屬電極對的硅片放入電鍍槽的電鍍液中，在所述的金屬電極對上通以交流電進行電鍍，實現金納米線的電沉積；其中，所施加的交流電的電壓峰值為12～20V，頻率為10²～10⁷Hz；通電時間5～10s；所述的電鍍液為金濃度范圍在2×10^-8mol/l～2×10^-3mol/l的鍍金液；

3)將步驟2)獲得的金納米線硅片取出，采用半導體清洗工藝清洗和烘干，完成具有單晶和多晶的金納米線的制備。

2.按權利要求1所述的具有單晶和多晶結構的金納米線的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中的半導體鍍膜工藝包括：真空鍍膜工藝或濺射鍍膜工藝。

3.按權利要求1所述的具有單晶和多晶結構的金納米線的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中的金屬電極對為金或鉑制作的金屬薄膜，所述金屬薄膜的厚度為200nm。

4.按權利要求1所述的具有單晶和多晶結構的金納米線的制備方法，其特征在于，在步驟2)中所述的鍍金液為：5×10^-7g～5×10^-2g碘化鉀、5×10^-7g～5×10^-2g碘、4×10^-8g～4×10^-3g金和10ml乙醇組成。

5.按權利要求1所述的具有單晶和多晶結構的金納米線線的制備方法，其特征在于，所述步驟2)中所得到的金納米線直徑為5～100nm。

6.按權利要求1所述的具有單晶和多晶結構的金納米線的制備方法，其特征在于，所述步驟3)中采用半導體清洗工藝清洗是用無水乙醇清洗。