[發明專利]一種多晶硅薄膜太陽能電池

無效

• 申請號: 200910080145.6
• 申請日: 2009-03-24
• 公開（公告）號: CN101582466A
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發明（設計）人: 孫書龍;谷士斌;王銳
• 申請（專利權）人: 新奧光伏能源有限公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/18
• 代理公司: 北京市德權律師事務所
• 代理人: 李維真;王建國

1.一種多晶硅薄膜太陽能電池，其特征在于，包括襯底、前電極、薄膜多晶硅PN結、背電極。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，薄膜多晶硅通過使用PECVD法制備非晶硅薄膜，然后通過激光燒焙法將非晶硅薄膜晶化，最終獲得薄膜多晶硅。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，激光燒焙技術為采用脈沖激光在大氣環境下進行晶化。

4.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，激光波長在300～550nm范圍內，激光頻率為30～60KHz。

5.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，在進行激光燒焙工藝之前，采用退火或者預燒焙的方法來降低非晶硅薄膜內的氫含量。

6.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，反復燒焙多次以增大多晶硅晶粒尺寸。

7.根據權利要求6所述的太陽能電池，其特征在于，多晶硅晶粒尺寸控制在幾百納米至幾微米范圍內。

8.根據權利要求1～7所述的任意一種太陽能電池，其特征在于，薄膜厚度在1～4微米之間。

9.根據權利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，激光燒焙法晶化非晶硅薄膜需要對使用的激光波長、強度以及燒焙速度進行調節，將燒焙深度控制在非晶硅薄膜厚度內，并獲得晶化均勻的多晶硅薄膜。

10.根據權利要求1～9所述的任意一種太陽能電池，其特征在于，所述的PN結，通過PECVD法制備非晶硅薄膜過程摻雜B和P元素直接獲得，或者通過PECVD法制備非晶硅薄膜過程只摻雜B或P元素獲得P型非晶硅或N型非晶硅，激光晶化后，通過擴散技術將P元素摻入到P型多晶硅薄膜中或將B元素摻入N型多晶硅薄膜中。