[發明專利]一種新型結構的透明導電薄膜及其制備方法

無效

• 申請號: 200910080142.2
• 申請日: 2009-03-24
• 公開（公告）號: CN101582303A
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發明（設計）人: 雷志芳;孫勁鵬;唐茜
• 申請（專利權）人: 新奧光伏能源有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01G9/04;H01G9/20;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京市德權律師事務所
• 代理人: 李維真;王建國

1、一種新型結構的透明導電薄膜，包括基板(1)、緩沖層(2)及透明導電薄膜(3)，其特征在于，在透明導電薄膜(3)的透明導電氧化物(4)中摻入一維導電材料(5)。

2、根據權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于，透明導電氧化物(4)平均透過率大于80％，電阻率小于10^-3Ωcm。

3、根據權利要求1或2所述的透明導電薄膜，其特征在于，透明導電氧化物(4)選自：Sn摻雜In₂O₃透明導電氧化物、SnO₂基透明導電氧化物、ZnO基透明導電氧化物或CdO基透明導電氧化物中的一種或幾種。

4、根據權利要求3所述的透明導電薄膜，其特征在于，SnO₂基透明導電膜，摻雜元素為F、Sb、In、Zn、Mn、Sr、Zr、Ge、Ce、Pt、Pd、Cd或Nd的一種或多種；ZnO基透明導電膜，摻雜元素為F、Sb、Zr、Al或Ga中的一種或多種。

5、根據權利要求1～4所述的任意一種透明導電薄膜，其特征在于，一維導電材料(5)的電阻率小于所摻雜的透明導電氧化物，并且盡量達到最小。

6、根據權利要求1～5所述的任意一種透明導電薄膜，其特征在于，一維導電材料(5)為金屬納米線、碳納米管、金屬纖維或納米金屬帶的一種或者多種；一維導電材料(5)直徑為1納米到50納米，長度從100納米到10厘米。

7、根據權利要求1～6所述的任意一種透明導電薄膜，其特征在于，一維導電材料(5)隨機的分布于透明導電氧化物(4)中；一維導電材料的摻雜濃度為1wt％～0.01wt％。

8、根據權利要求1～7所述的任意一種透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，利用超聲噴霧熱分解法在基板(1)上制備摻有一維導電材料(5)的新型透明導電薄膜。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，包括：配制所需前驅溶液，并利用超聲波振蕩使溶液及一維導電材料充分混合均勻，在超聲霧化器中使前驅溶液霧化，然后用載氣將霧化后的溶液及一維導電材料帶入噴頭，經過噴頭后載流氣體攜帶著霧滴與一維導電材料均勻地噴出，進入反應室，霧滴在下落過程中溶劑揮發霧滴縮小，落到襯底基板表面后平化，與此同時，一維導電材料隨霧滴一塊被沉積到基板表面，最后熱分解反應，在襯底上成膜。

10.根據權利要求8或9所述的制備方法，其特征在于，沉積溫度為100℃～800℃；載氣流量為0.1～10m³/h。