[發明專利]帶有倒V型耦合光波導小發散角半導體激光器結構

無效

• 申請號: 200910080070.1
• 申請日: 2009-03-18
• 公開（公告）號: CN101841123A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 熊聰;王俊;崇鋒;劉素平;馬驍宇
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01S5/00
• 分類號: H01S5/00;H01S5/20;H01S5/068;G02B6/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種帶有倒V型耦合光波導小發散角半導體激光器結構，其特征在于，其中包括：

一襯底，該襯底用于在其上生長激光器各外延層材料；

一緩沖層，該緩沖層制作在襯底上；

一第一N型下限制層，該第一N型下限制層制作在緩沖層上；

一倒V型耦合光波導層，該倒V型耦合光波導層制作在第一N型下限制層上；

一第二N型下限制層，該第二N型下限制層制作在倒V型耦合光波導層上；

一下波導層，該下波導層制作在第二N型下限制層上；

一有源區，該有源區制作在下波導層上；

一上波導層，該上波導層制作在有源區上；

一P型上限制層，該P型上限制層制作在上波導層上；

一過渡層，該過渡層制作在P型上限制層上；

一電極接觸層，該電極接觸層制作在過渡層上。

2.根據權利要求1所述的帶有倒V型耦合光波導小發散角半導體激光器結構，其特征在于，其中第一N型下限制層和第二N型下限制層為N型鋁鎵砷材料。

3.根據權利要求1所述的帶有倒V型耦合光波導小發散角半導體激光器結構，其特征在于，其中倒V型耦合光波導層為N型鋁鎵砷材料。

4.根據權利要求1所述的帶有倒V型耦合光波導小發散角半導體激光器結構，其特征在于，其中下波導層為N型鋁鎵砷材料。

5.根據權利要求1所述的帶有倒V型耦合光波導小發散角半導體激光器結構，其特征在于，其中有源區為銦鎵砷材料。

6.根據權利要求1所述的帶有倒V型耦合光波導小發散角半導體激光器結構，其特征在于，其中上波導層為P型鋁鎵砷材料。

7.根據權利要求1所述的帶有倒V型耦合光波導小發散角半導體激光器結構，其特征在于，其中P型上限制層為P型鋁鎵砷材料。

8.根據權利要求1所述的帶有倒V型耦合光波導小發散角半導體激光器結構，其特征在于，其中有源區為量子阱結構。

9.根據權利要求1所述的帶有倒V型耦合光波導小發散角半導體激光器結構，其特征在于，其中上波導層和下波導層為鋁組分緩變的鋁鎵砷材料，產生的折射率緩變波導能減小激光器的閾值電流和遠場發散角。

10.根據權利要求1或5所述的帶有倒V型耦合光波導小發散角半導體激光器結構，其特征在于，在第一N型下限制層和第二N型下限制層中間引入折射率呈倒V型分布的倒V型耦合光波導層，將激光器有源區的光場耦合到倒V型耦合光波導層附近，擴展有源區的光場，降低激光器的垂直發散角，增加了垂直方向上的近場光斑尺寸，降低端面的光功率密度。