[發(fā)明專利]檢測(cè)半導(dǎo)體晶體或外延薄膜材料極性的方法及檢測(cè)系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910079885.8
• 申請(qǐng)日: 2009-03-13
• 公開（公告）號(hào): CN101614685A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王新強(qiáng);沈波;張琦;賀小偉;許福軍;尹春明;楊志堅(jiān);張國義
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號(hào): G01N23/227
• 分類號(hào): G01N23/227
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 胡小永

1.一種檢測(cè)半導(dǎo)體晶體或外延薄膜材料極性的方法，其特征在 于，所述方法包括以下步驟：

利用圓偏振光輻照待測(cè)的半導(dǎo)體晶體或外延薄膜材料，并檢測(cè)所 產(chǎn)生的無偏壓電流的電流方向；

根據(jù)所述無偏壓電流的電流方向，判斷所述待測(cè)的半導(dǎo)體晶體或 外延薄膜材料的極性，判斷標(biāo)準(zhǔn)為：

極性相反的同一種半導(dǎo)體晶體或者外延薄膜在相同的條件下測(cè) 試得到的圓偏振自旋光電流是反向的；或者

利用不同極性半導(dǎo)體的圓偏振自旋光電流變化規(guī)律是否相反來 判斷該半導(dǎo)體的極性。

2.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)半導(dǎo)體晶體或外延薄膜材料極性的 方法，其特征在于，所述的半導(dǎo)體晶體為具有極性或者不對(duì)稱性的半 導(dǎo)體晶體。

3.如權(quán)利要求2所述的檢測(cè)半導(dǎo)體晶體或外延薄膜材料極性的 方法，其特征在于，所述的半導(dǎo)體晶體為III-V族化合物半導(dǎo)體或II-VI 族化合物半導(dǎo)體。

4.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)半導(dǎo)體晶體或外延薄膜材料極性的 方法，其特征在于，所述外延薄膜為具有極性的外延薄膜及其量子結(jié) 構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的檢測(cè)半導(dǎo)體晶體或外延薄膜材料極性的 方法，其特征在于，所述外延薄膜為GaN、AlN、InN外延薄膜、ZnO、 ZnS、ZnSe外延薄膜或GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)。