[發明專利]檢測半導體晶體或外延薄膜材料極性的方法及檢測系統

有效

• 申請號: 200910079885.8
• 申請日: 2009-03-13
• 公開（公告）號: CN101614685A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發明（設計）人: 王新強;沈波;張琦;賀小偉;許福軍;尹春明;楊志堅;張國義
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: G01N23/227
• 分類號: G01N23/227
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司
• 代理人: 胡小永

1.一種檢測半導體晶體或外延薄膜材料極性的方法，其特征在 于，所述方法包括以下步驟：

利用圓偏振光輻照待測的半導體晶體或外延薄膜材料，并檢測所 產生的無偏壓電流的電流方向；

根據所述無偏壓電流的電流方向，判斷所述待測的半導體晶體或 外延薄膜材料的極性，判斷標準為：

極性相反的同一種半導體晶體或者外延薄膜在相同的條件下測 試得到的圓偏振自旋光電流是反向的；或者

利用不同極性半導體的圓偏振自旋光電流變化規律是否相反來 判斷該半導體的極性。

2.如權利要求1所述的檢測半導體晶體或外延薄膜材料極性的 方法，其特征在于，所述的半導體晶體為具有極性或者不對稱性的半 導體晶體。

3.如權利要求2所述的檢測半導體晶體或外延薄膜材料極性的 方法，其特征在于，所述的半導體晶體為III-V族化合物半導體或II-VI 族化合物半導體。

4.如權利要求1所述的檢測半導體晶體或外延薄膜材料極性的 方法，其特征在于，所述外延薄膜為具有極性的外延薄膜及其量子結 構。

5.如權利要求4所述的檢測半導體晶體或外延薄膜材料極性的 方法，其特征在于，所述外延薄膜為GaN、AlN、InN外延薄膜、ZnO、 ZnS、ZnSe外延薄膜或GaN基異質結構。